DIP-26系列:用于工业驱动的新型转移模压动力集成模块(TMPIM)

概述

本说明书适用于ON Semiconductor DIP−26系列的转移模制功率集成模块(TMPIM)。TMPIM采用传递模塑工艺将功率器件及周边部件封装为环氧模塑化合物。

电力设备和无源组件如热敏电阻是焊接连接到直接粘结铜(DBC)基板，并通过厚铝粘结线和引线框连接。DIP−26系列提供了两个选择基板的平台，标准TMPIM和增强TMPIM。虽然这两个平台从外部看是相同的，共享相同的针头和大小，他们有不同的内部衬底。

标准TMPIM采用标准镀镍Al2O3 DBC基板。增强型TMPIM采用厚铜先进衬底，可靠性高，热阻低。

TMPIM系列封装具有简洁、稳健的制造工艺。转移成型过程消除了塑料外壳，胶水和相关的连接和固化程序。与凝胶填充模组相比，选择用于封装的环氧模塑化合物具有延长模组寿命的能力。

具有可变基板的平台选项提供高功率密度和宽输出功率范围，以及客户设计灵活性。

在ON Semiconductor的这份白皮书中，了解DIP−26系列如何提供不同拓扑结构的模块产品，如变换器−逆变器−制动(CIB)、变换器−逆变器(CI)、六包和其他多电平变换器。