NXP射频功率GaN晶体管
NXP Semiconductors的MRF24G300HS是一款300W连续波GaN晶体管，其效率超过了磁控管，设计用于在2450MHz工作的工业、科学和医疗应用。
晶体管采用先进的GaN-on-SiC工艺制作，结合了GaN的高功率密度和SiC的高导热性。该器件的漏极效率可高达73%，可用于连续波、长脉冲和短脉冲应用。
输入匹配简化了输入电路，而固有的高输出阻抗简化了匹配，无需在生产过程中手动调整。
MRF24G300HS可用于单端或推挽配置，简化了门偏置以进一步降低设计复杂性。
- GaN-on-SiC具有高功率密度和优良的导热性能
- 热敏电阻:0.52℃/ W
- 排水效率(P1dB): 73%典型
- 适用于连续波、长脉冲(几秒)和短脉冲应用
- 为简化输入电路匹配的输入
- 高输出阻抗提供一致的输出匹配
- 避免在生产过程中手动调优
- 简化的门偏置降低了设计的复杂性
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