Cree投资10亿美元扩大SiC半导体Fab产能，开发MOSFET投资组合
2019年5月14日通过加里ElinoffWolfspeed在SIC上倒下了沃尔夫斯肖特基二极管和MOSFET的10亿美元。
Wolfspeed在SIC上倒下了沃尔夫斯肖特基二极管和MOSFET的10亿美元。
在最近的PCIM秀，Wolfspeed宣布其产品线的SiC裸晶和mosfet，并扩大其产品线的SiC肖特基二极管。该公司还推出了专门为SiC设计的XM3电源模块。
据报道，Wolfspeed的SiC（碳化硅）裸管道（碳化硅）裸管，离散组件和模块的要求介绍了电动汽车，工业和可再生能源应用的要求。该公司的指定目标是让设计人员在高功率应用中实现最高功率密度。
Wolfspeed高级副总裁兼总经理Cengiz Balkas表示:“Wolfspeed走在创新的前沿，引领着电力行业从硅向碳化硅的转型。”
SiC MOSFET裸模
Wolfspeed声称具有较小占地面积的系统可以通过他们的CPM3光秃秃的模具来实现。模具之间的互连长度的减小导致最小化的切换等待时间和电噪声。所有成员设备都具有1200 V阻塞电压和175ºC的最大结温。
CPM3光秃秃的死亡。从图片Wolfspeed
cpm3 - 1200 - 0013 - a
的cpm3 - 1200 - 0013 - a达到一个值得注意的Rds(上)13 mΩ在25°C。它适用于汽车驱动系统，电机驱动，固态断路器和谐振拓扑的应用。
其他规范包括:
- 额定电流:149 A @25°C
- 门收费总计：260 NC
- 反向恢复充电(Qrr): 1800 nC
- 反向恢复时间(Trr): 43 ns
cpm3 - 1200 - 0016 - a
的cpm3 - 1200 - 0016 - a特色令人印象深刻的rds(上)16 mΩ在25°C。它可以应用于太阳能逆变器，电动汽车电机驱动器，高压DC/DC转换器，开关模式电源，和负载开关应用。
其他参数包括:
- 额定电流:112 A @25°C
- 门电荷总数:227 nC
- 反向恢复充电(Qrr): 1200 nC
- 反向恢复时间(Trr): 48 ns
C3M场效电晶体
Wolfspeed还推出了新的封装mosfet。它们的包装如下:
读者会注意到，在某些情况下，该公司列出了较旧的设备和较新的C3M SiC mosfet。
C6D Gen 6二极管
这些SiC肖特基二极管提供1.27V @ 25°C和1.35 V @ 125°C的前电压下降。C6D二极管的二极管适用于服务器，电信，医疗设备，消费电子产品和太阳能的应用。雷竞技最新app
更多关于这个家庭成员的信息可以在下面找到:
XM3电源模块
的CAB450M12XM3将要在下个月发布，专门用于最大化SIC的益处。随着标准62毫米模块的一半重量和体积，XM3电源模块可以最大限度地提高功率密度，同时最小化环路电感并启用简单的电源总线。XM3的SIC优化包装可实现175°C的连续结操作。
本设备适用于:
- 电机和牵引传动装置
- 联合包裹
- 电动汽车充电器
XM3高密电源模块。从图片Wolfspeed
在行业
Wolfspeed的母公司Cree宣布对SiC和GaAS的10亿美元承诺(砷化镓)。这是一波变革浪潮的一部分，因为电力半导体行业作为一个整体在批发基础上切换到宽带隙半导体。
