来自RoHM半导体的新型非接触式电流传感器IC

这种高灵敏度器件是专为空间限制和低功率应用。

你肯定知道，测量电流是一个永远有问题的设计任务。通过比较来测量电压是如此容易，以至于很难不对电流产生一点偏差。拜托，电流，为什么你不能更像电压呢?我们只想知道振幅而不影响电路的其他部分!

测量电流最直接的方法是将已知电阻与电流路径串联。你只需测量已知电阻上的电压申请欧姆法律。这电阻测量法通常是有效的，尽管当额外的电阻会对电路的操作产生负面影响时，它不能使用。

这是用电阻测量电流的一种更精细的方法。电路在本文从AAC的模拟电路收集。

电流检测的非功能性版本基于流过导体的电流产生磁场的事实。前一段中提到的文章还讨论了霍尔效应传感器，其可以产生与电流成比例的输出电压，而不会引入电流路径中的大量电阻。

对霍尔效应传感器的关注

霍尔效应传感器绝不是一个理想的解决方案，而RoHM半导体最近宣布了它们认为远远优于基于磁场的电流传感装置的IC。

根据ROHM，集成电路霍尔效应传感器占用太多的板空间和消耗太多的功率。此外，它们必须通过在传感器内部抽取电流来补偿它们的低灵敏度，这意味着这些传感器并不像它们看起来那样无干扰。事实上，ROHM并不认为典型的IC霍尔效应传感器是真正的非接触式器件。，一种测量电流而不引入任何损耗的装置。

磁阻抗方法

ROHM的工作人员相信他们已经克服了霍尔效应传感器的局限性，他们在磁阻抗元件周围建立了一个电流感应装置。如果你不知道什么是磁阻抗元件，不要担心-我甚至从未见过这个术语，直到我开始写这篇文章。

我做了一些研究，我的理解是:磁阻抗元件的行为是基于磁阻抗(MI)效应。MI效应是一种外磁场作用于非晶磁性导线，影响高频电流源在该导线中产生的电压的现象。这使得MI元件可以作为一个高响应和高灵敏度的磁场传感器的基础。

ROHM的磁阻抗电流传感器

以下框图为您提供了来自RoHM的BM14270Muv-LB非接触式电流传感器内部的一般概念。

bm14270muv-lb的框图数据表。

正如您所看到的，它不仅仅是一个传感器。它还提供模拟和数字信号处理，模数转换和I2C通信，用于将电流传感数据传送到微控制器。换句话说，它是一个高度集成的设备，可以将大量功能包装成小（3.5mm×3.5 mm）封装。实际上，Rohm将其描述为“行业最小”的非接触式电流传感器。

数据表中的信息可以更清楚一点，但我认为我理解这部分应该如何使用。其原理是将集成电路焊接到电路板的顶部(或底部)，然后测量流过内层的电流，这样，电流就在传感器的正下方。

图表显示电流流过传感器的图表。图片来自数据表。

ROHM将此描述为“完全非接触电流检测”，因为电流甚至不需要流过设备。它只是在下面流动。

噪音消除

侧视图图中标记为A和B的盒子是指向相反方向的两个磁阻抗传感器。输出是由A测量减去B测量产生的。这并不能抵消整体测量，因为每个传感器都暴露在不同方向的电流中。然而,它做消除外部磁场的影响，因为这些磁场对两个传感器来说是相同的。

从BM14270MUV-LB新闻稿。

ROHM将这种特性称为“干扰磁场抵消”。在我看来，这似乎是一个非常好的主意，ROHM表明，一个未屏蔽的BM14270MUV对外部磁场是强大的，作为一个典型的霍尔效应传感器，包括一个机械屏蔽。

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来自RoHM的新磁阻传感器似乎是一个相当令人印象深刻的设备。但是，您认为他们对霍尔效应传感器的批评有点夸张吗？您有没有找到霍尔效应感测的问题，足以让您寻找替代解决方案？随意在下面的意见部分分享您的想法。