Atomera合作，通过材料科学扩展摩尔定律，而不是缩小规模

本周，基于硅谷的阿塔米拉宣布了与未命名的“领先的半导体提供商”进入联合发展协议（JDA）。可以说，该协议最重要的部分是，它包括一个制造许可，允许这家未具名的供应商制造集成Atomera的米尔斯硅技术(MST)的半导体。

在这篇文章中，我们会看看究竟是什么MST，为什么Atomera认为它可以扩展摩尔定律。

MEARS SILICON技术

在2001年开发，MEARS SILICON技术是ATOMERA的材料科学技术用于生产半导体，从而产生对传统硅的一些显着改进。

标准与MST晶体管。图片由Atomera

MST在原子水平上工作，将非常薄的非半导体层，比如氧，插入到半导体材料中。这种新的氧垒的引入有助于增加半导体中掺杂剂的浓度。通过增加掺杂剂的浓度，通过晶体管的电流被迫进入一个更有方向性的路径．

其结果是晶体管具有更高的电子迁移率，因为载流子将避免与半导体的晶体结构碰撞。MST据说可以改善晶体管在扩散阻塞、迁移率、栅泄漏和可靠性方面的性能。

MST的好处

MST的一个好处是它提供独特的扩散阻塞性能。Atomera表示，MST的引入显着抑制掺杂剂通过氧化增强的扩散来扩散的能力。

掺杂剂浓度与深度显示了通过MST可获得的独特掺杂轮廓。图片由Atomera

其结果是，设计师可以创建独特的兴奋剂配置文件，提供性能优势。例如，可以通过栅极降低掺杂剂浓度以提高迁移率。

如前所述，MST创建的更有方向性的路径增加了载波的移动性。这与掺杂浓度带来的迁移率好处一起，加倍提高了MST器件中载流子的迁移率。其结果是晶体管具有更快的开关速度，在相同的电压下有更多的电流，以及更少的阈下栅极泄漏。

最后，Atomera声称MST可以受益于可靠性规格，如介质击穿时间(TDDB)、介质击穿电荷(QBD)和PMOS负偏置温度不稳定性(NBTI)。

对摩尔定律的创造性扩展?

由于在MST中使用的技术，Atomera已经声称找到了一种方法来改善晶体管的性能，而不遵循老旧的降低规模的路径。随着摩尔定律的停滞，设计师们继续跳出固有思维来提高设备性能，这一点就变得非常重要。

Atomera断言，MST与其他纳米缩放技术互补，并且可以在标准制造工具上实现，而无需显着开销。通过在半导体行业中加入领先的提供商，Atomera表示，其技术已准备好进行市场，并将在未来几年开始融入产品设计人员。