为了跟上脱离冯·诺依曼体系结构的趋势,法国研究人员克服了记忆电阻器的非理想特性,将贝叶斯网络推向了边缘。
2021年1月23日经过杰克赫兹
尽管发生了大流行病,但2020年对太空探索来说是具有里程碑意义的一年。每个任务在电路层面上成功的关键是抗辐射记忆装置。
2020年12月21日经过泰勒Charboneau
根据IC Insights的说法,DRAM是2020年最大的IC产品类别,销售额为652亿美元,其次是NAND的第二次以552亿美元。
2020年12月10日,经过卢克詹姆斯
在公司在闪存中被描述为闪存,性能和密度的突破,Micron已经发布了世界上第一个176层3D NAND。
11月17日,2020年经过卢克詹姆斯
随着5G速度和储存需求与摩尔法结束的碰撞,芯片制造商正在转向多芯片包装,以节省空间和电力。
2020年10月26日经过史蒂夫asrar
美国芯片制造商英特尔将其部分NAND记忆芯片业务销售为SK Hynix,以90亿美元的交易将看到韩国半导体供应商成为世界第二大闪存芯片制造商。
2020年10月22日经过卢克詹姆斯
本周,Arm宣布,它将把整个CeRAM IP投资组合转移到该公司的一个新剥离出来的公司——Cerfe实验室(Cerfe Labs),同时持有新公司的少数股权。
2020年10月08经过杰克赫兹
NVME控制器技术对于学术界来说可能是困难和昂贵的。现在,一个新的开源选项可以帮助EE学生的新存储设备。
2020年9月22日经过卢克詹姆斯
本周,Microchip宣布释放4Mbit EEPROM芯片 - 在市场上最大的容量增加了两倍。
2020年8月26日经过杰克赫兹
使用PCIe协议,NVMe解决了数据速率瓶颈的问题——证明它甚至比专门为硬盘驱动器构建的SAS和SATA协议还要快。
2020年8月11日经过史蒂夫asrar
利用范德瓦尔斯材料,南加州大学的研究人员在基于铁电隧道结的非易失性存储器方面取得了突破。
2020年7月27日,经过杰克赫兹
新的DDR5标准可能会彻底改变现代数据中心。
7月23日,2020年经过杰克赫兹
什么是磁性窥屏?以及更多高功率磁记忆的关键如何?
7月02日,2020年经过杰克赫兹
这两家公司推出了他们所谓的“世界上最先进、安全的NOR闪存”,这一举动显示了英飞凌-赛普里斯二人组的力量。
2020年6月16日经过加里·埃利诺夫
Micron的Hefty Memory Hardelation Portfolio如何让它们进行这种班次?
2020年4月29日经过凯布艾
有效地存储数据仍然是现代信息系统中的关键问题,以及需要设计设备的电子工程师的挑战,以思想强大的数据存储作为主要问题。雷竞技最新app
2020年4月15日经过Biljana Ogeenova.
在本文中,我们将研究一种建议的非易失性DRAM,并将其与当前的内存技术进行比较。
2020年2月14日经过罗宾米切尔
K32 L2 MCU基于ARM Cortex-M0 +核心,并具有多种低功耗模式。
2019年12月24日经过加里·埃利诺夫
随着智能技术的增长,开发人员正在寻找更灵活的网络协议。以下是公司正在组合,开发或扩展协议以扩大IOT应用程序的方式。
2019年10月10日经过汉娜·瓦塔维斯
东芝最新的SLC NAND记忆产品系列专注于高转移率并提供替代方案,也不提供记忆。
2019年9月27日经过加里·埃利诺夫
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