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选择2D和3D材料以脱离下一代半导体的商业化

7月18日,2020年经过加里·埃利诺夫

韩国研究人员根据卤化物钙钛矿材料制作一种新型的非易失性记忆。

浦项科技大学研究人员(Postech)卤化物钙钛矿材料中的电阻切换性能开发新型快速,低功耗,非易失性存储器的基础。

卤化物钙钛矿材料表现出电阻式开关特性,这意味着随着电压的施加,物质的电阻将改变。

这种变化很快,它需要很小的功率,最重要的是,电阻值是不变的,直到它被相反的脉冲击中。此属性可能基于新型的电阻随机存取存储器或reram。

什么是纪念日?

电阻随机存取存储器(RERAM)是一种非易失性存储器。与半导体存储器不同,RERAMS记录录制器和零阻力变化。

根据施加的电压,通过设备的端子读取的电阻值从低到高,或从高到低电平;在没有另一电压脉冲的情况下,电阻和因此设备的一个或零状态不会改变,因此组件的非波动性。

我们以前报道过忆子,这是一个着名的纪念品类型。

材料科学家们对佩洛夫斯基茨迟到很有兴趣,我们最近报告了他们的潜在用途储能。然而,材料的内存技术的就业人员因其在大气暴露于大气中的稳定性差而受到阻碍。通过寻找更优化的卤化物钙钛矿材料,科学家们试图克服稳定性差的稳定性。

电阻开关记忆的盖晶型恒生材料的设计。

图片归功于Postech

第一原则计算

该团队采用了第一原理计算,一种基于量子力学的方法,以确定最有可能的材料候选者。结果预测了CSPB2布尔5.,一种二维分层结构的无机钙钛矿,是强烈的竞争者。

二维CSPB2BR5由团队合成,并与三维结构CSPBBR3进行比较。3D材料在高于100°C的温度下损失了其存储器特性。

然而,CSPB2BR5的2D层状结构在超过140℃的温度下保持其存储器特性。此外,2D材料可以在低于一伏的电压下操作,这是鉴于在现代电子系统中较低的工作电压的一致趋势的重要发现。

正如主导调查员所指出的,Jang-Sik Lee教授,“使用基于第一原理筛选和实验验证的材料设计技术,通过减少搜索新材料的时间来加速存储器设备的开发。这有望加速下一代数据存储设备的商业化。“

含义

随着调查人员指出,“下载30分钟的视频剪辑只需几秒钟,您可以在IT Airs后的15分钟内观看节目。”因此,有一个永无止境的全球搜索稳定的计算机存储器。

有移动,可穿戴和远程IOT设备的激增。低功耗是这些设备的主要设计标准,让我们不要忘记全球所有类型的饥饿服务器的独特电源要求。希望基于2D PEROVSKITES的设备代表低功耗,高可靠性,非易失性存储器的可行方式。