雷竞技注册
新闻gydF4y2Ba

DC-DC转换器的DC-DC转换器公司已加入DC-DC转换器的二极管推出了微型汽车MOSFETgydF4y2Ba

2019年9月16日gydF4y2Ba通过gydF4y2Ba加里ElinoffgydF4y2Ba

40v级DMTH4008LFDFWQ和60v级DMTH6016LFDFWQ运动节省空间DFN2020包。gydF4y2Ba

二极管公司的两款新型符合汽车要求的mosfet只占了SOT223封装的类似器件的10%的电路板空间。这使得优越的功率密度对于“引机箱下”的汽车应用如DC-DC转换器、LED背光和ADAS(高级驾驶员辅助系统)至关重要。gydF4y2Ba

来自二极管公司的图像gydF4y2Ba

新的n沟道场效应管支持连续漏极电流(IgydF4y2BaDgydF4y2Ba)从7.6安培到11.6安培。在他们的DFN2020封装中,两种设备占用的面积都只有2mm × 2mm,而SOT223封装中竞争设备要求的面积为6.5 mm × 7mm。此外,单位提供的轮廓只有0.6毫米。gydF4y2Ba

两个单位的主要应用包括:gydF4y2Ba

  • 电源管理功能gydF4y2Ba
  • 直流-直流转换器gydF4y2Ba
  • 背光gydF4y2Ba

重要的规范gydF4y2Ba

的gydF4y2BaDMTH4008LFDFWQgydF4y2Ba

  • 有一个VgydF4y2BaDSSgydF4y2Ba40伏gydF4y2Ba
  • 有一个问gydF4y2BaggydF4y2Ba(门电荷)14.2 nCgydF4y2Ba
  • 一台电视gydF4y2BaGSgydF4y2Ba= 10伏特gydF4y2Ba
    • 有一个最大RgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba11.5mΩgydF4y2Ba
    • 在25°C,最大ID是11.6安培gydF4y2Ba
  • 一台电视gydF4y2BaGSgydF4y2Ba= 4.5伏gydF4y2Ba
    • 有一个最大RgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba18 mΩgydF4y2Ba
    • 在25°C时,最大igydF4y2BaDgydF4y2Ba9.3安培gydF4y2Ba

根据Diodes Incorporated的说法,DMTH4008LFDFWQ在典型应用中使用时,如12V, 5A降压转换器,该单元耗散功率比同类mosfet少20%。gydF4y2Ba

的gydF4y2BaDMTH6016LFDFWQgydF4y2Ba

  • 有一个VgydF4y2BaDSSgydF4y2Ba60伏gydF4y2Ba
  • 有一个问答gydF4y2BaggydF4y2Ba15.2数控gydF4y2Ba
  • 一台电视gydF4y2BaGSgydF4y2Ba= 10伏特gydF4y2Ba
    • 有一个最大RgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba18 mΩgydF4y2Ba
    • 在25°C时,最大igydF4y2BaDgydF4y2Ba9.4安培gydF4y2Ba
  • 一台电视gydF4y2BaGSgydF4y2Ba= 4.5伏gydF4y2Ba
    • 有一个最大RgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba27.5mΩgydF4y2Ba
    • 在25°C时,最大igydF4y2BaDgydF4y2Ba7.6安培gydF4y2Ba

主要是因为两个新的MOSFET都封装在侧壁电镀DFN2020中,每个MOSFET在175°C时符合操作。这将是一个福音,用于设计目的地为汽车环境的产品,具有高环境温度。gydF4y2Ba

DMTH4008LFDFWQ和DMTH6016LFDFWQ的引脚底部视图和原理图。图片修改的gydF4y2Ba二极管合并gydF4y2Ba

DMTH4008LFDFWQ和DMTH6016LFDFWQ都是:gydF4y2Ba

  • Automotive-compliant, AEC-Q101gydF4y2Ba
  • 完全无铅,完全符合RoHSgydF4y2Ba
  • 由PPAP支持,实现全面可追溯gydF4y2Ba
  • 卤素和锑免费gydF4y2Ba
  • 额定含水性敏感度:每j-std-020等级1gydF4y2Ba
  • 具有UL阻燃等级94V-0gydF4y2Ba

在行业gydF4y2Ba

随着今天的汽车电气和电子内容的不断增加,毫不奇怪,二极管公司在汽车mosfet领域有许多竞争对手。这里有两个类似的自动MOSFET器件。gydF4y2Ba

Nexperia的gydF4y2BaBUK6D43-60EgydF4y2Ba是DFN2020MD-6 (SOT1220)封装的60v n通道MOSFET。最大漏极电流为13安培。典型RgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba是43mΩ。该设备是AEC-Q101合格。gydF4y2Ba

东芝提供三种自动mosfet,gydF4y2BaSSM6K818R、SSM6K809R和SSM6K810RgydF4y2Ba。他们V特性gydF4y2BaDSgydF4y2Ba电压分别为30、60和90伏,RgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba取值范围为19、51、94 mΩ。它们符合AEC-Q101,并在TSOP6F包中提供gydF4y2Ba

2的评论gydF4y2Ba