预计2020年将出现内存革命——从DDR4到DDR5是一次巨大的飞跃

新一代同步动态随机存取存储器DDR5 (Double data rate five)将提供更高的性能、更大的带宽、更快的数据传输和更低的功耗。

从DDR4到DDR5的飞跃并不是增量开发。我们看到的是从2400兆赫到4800兆赫的标准频率的飞跃。根据三星,DDR5记忆可以在一个时钟周期中作为DDR4发送和接收数据信号，促进更多容量和更快的传输速率。

这里的目标是支持大量被贩运的数据中心，哪些是特别沉重的，因为留在家里的订单．

图表比较DDR4和DDR5的主要规格。使用的图像礼貌SK海力士

DDR5还没有出现，但许多供应商已经采取了明确措施，希望在未来两年内开展这项技术。

DDR5如何与DDR4不同？

SK海力士(SK hynix)最近发布了一份报告从DDR4到DDR5的几个预期变化．

1. 由于其体系结构，DDR5的内存访问是DDR4的双倍，它具有32多个银行组的32多个结构。
2. DDR5还具有16的突发长度（BL）2，而DDR4是8。
3. 与DDR4在刷新时不能执行其他操作不同，DDR5允许使用“Same bank Refresh”功能并发访问银行。
4. DDR5采用判定反馈均衡（DFE）电路，可在通道操作期间削减反射噪声，提高每个引脚的速度。
5. DDR5工作电压为1.1 V, DDR4工作电压为1.2 V;这一变化意味着每带宽的功耗降低了20%。

DDR5的优势信息图表。图片(修改)由SK海力士

Micron：DDR5的Trailblazer

在过去的40年里，美光一直在重新定义内存和存储解决方案，并且是第一批供应商之一明年1月推出DDR5的承诺．美光声称下一代SDRAM的目的是减轻数据中心服务器的负担。他们还瞄准了移动设备。

Micron的LPDDR5用于移动应用程序的DRAM为5克。使用的图像礼貌微米

美光的低功耗DDR5 DRAM将被集成到摩托罗拉的新edge+智能手机中，带来消费者的“5G体验的全部潜力”。摩托罗拉表示，新的智能手机将具有高分辨率相机，粗体显示器，以及用于流娱乐的高带宽。

LPDDR5的高速和低功耗将使移动和汽车设备跟上人工智能技术、自动驾驶、5G网络和摄像头的创新。

Renesas支持带传感器的DDR5模块

瑞萨电子公司(R雷竞技最新appenesas Electronics Corporation)最近宣布新的精密温度传感器，TS5111，专为支持DDR5内存模块而建．瑞萨人TS5111传感器将提供警示标志，以进行内存刷新，这对芯片制造商来说是至关重要的一步。如果没有内存刷新功能，存储的数据最终会丢失。

该传感器测量0.8 mm × 1.3 mm，具有高达12.5 MHz的数据传输速率，包括1.8 V和1.1 V电源输入。

瑞萨的存储接口产品组合包括DDR5 RCD、PMIC、SPD Hub和TS设备。使用的图像礼貌瑞萨

DDR5具有适合航空领域传感器的关键特性:精度、低功耗和占地面积小。航空推进和载人飞行器需要这样的传感器来精确测量和监测温度的波动。

Keysight发布DDR5的设计和测试工具

Keysight Technologies也在为更广泛地采用DDR5铺平道路。Keysight最近推出了“世界第一个设计和测试工作流解决方案”为DDR5内存解决方案在DesignCon 2020。据说新的解决方案可以减少DDR5动态随机存取存储器（DRAM）系统的产品开发时间。

由于DDR5以DDR4的数据速率的加倍运行，因此硬件设计师面临缩小的设计边际，它们可以解决抖动，串扰和反射。DDR5 DRAM通过判定反馈均衡（DFE）恢复这些严重扭曲的信号，这与先前DDR迭代的传统测量和仿真过程不同。

Keysight的DDR5完整设计和测试解决方案。使用的图像礼貌Keysight Technologies

Keysight旨在通过引入新的发射机测试工具，对Loopback位差错率（BER）测试以及调试DDR5流量事务进行调试的逻辑分析来减少停机时间并允许开发人员满足产品截止日期。

三星级别从DDR4到DDR5

使用DDR5，三星开发人员旨在重组内存的架构，使其能够处理现代CPU的带宽需求。

三星的DDR5允许高达4,800 Mbps的数据传输。使用的图像礼貌三星

DDR5同步动态随机访问内存(SDRAM)是为了帮助解决数据中心服务器中出现的超负荷工作负载而设计的。三星表示，DDR5 SDRAM提高了典型数据中心所需的可靠性、可用性和可服务性(RAS)。

三星计划将DDR5集成及其最新的TSV-8层技术这是一种具有挑战性的打包方法，它利用了DDR5包含两倍于DDR4堆栈数量的能力。

DDR5的下一步是什么?

SK海力士(SK hynix)有关DDR5的报道援引了一份报告国际数据公司（IDC）声称DDR5会起到作用“2021年的DRAM市场总量的22％和2022年的43％。”SK Hynix宣布它计划今年加速DDR5内存芯片生产．

三星的DDR5 / LPDDR5还将在今年下半年进入2021年的批量生产。

三星第四代10nm级(1a)基于euv的16Gb DDR5/LPDDR5量产计划于2021年开始。使用的图像礼貌三星

该公司声称它将加强与领导IT客户和半导体供应商的合作，因为它将从DDR4到DDR5的过渡加速了高度预期的移动设备。虽然我们不会看到从DDR4转移到DDR5的全部效果又几个月，但这些前景显示了我们在存储革命的存储中。

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您是否发现自己受到当前SDRAM参数的限制？你如何解决这些限制？在下面的评论中分享您的经验。