新的超高压技术旨在将MagnaChip的超高压nLDMOS器件的尺寸减少30%。
在一个公司都在研究7纳米工艺的世界里，0.35微米听起来并不是什么值得大动声色的东西。毕竟，0.35微米相当于350纳米!
但是可以这样想:那些超细、超灵敏的7纳米晶体管在处理几伏特和几纳米安培时是没问题的。试着把它们连接到一个220伏特的几安培电源上，结果不会很好。
根据MagnaChip的最新声明，UHV(超高压)约为700伏。这通常是220伏电源为开关模式电源供电时遇到的最高电压，在您将通常遇到的所有考虑因素加在一起之后。
MagnaChip的新型超高压工艺
代工厂商MagnaChip semiconductor的是一家位于韩国的半导体铸造厂。它的新技术被称为HP35ULC700，是一种nLDMOS (n通道横向扩散金属氧化物半导体)工艺。
nLDMOS的一种表示形式。(一)三维(3D)结构图，和(b)设备横截面视图。从图片国家生物技术信息中心版权所有©2018［CC-BY 4.0］
对以前流程的改进
与之前的产品相比，MagnaChip将其UHV nLDMOS设备的尺寸减小了30%。JFET设备的尺寸减少了50%。
此外，HP35ULC700工艺所需的光刻步骤比上一代少了7个。这是通过简化前端过程和减少最小金属数量从2到1来实现的。这将有助于简化生产，从而降低总成本。
满足广泛的需求差异
由于在不同的实现中处理高压应用的方式不同，特高压技术有多种要求。为了覆盖所有的基础，MagnaChip提供了多种不同的栅极氧化物方案的特高压技术。
当需要高系统集成度时，双栅特高压技术可用于低压、高压和特高压器件。或者，如果必须低制造成本和控制逻辑密度高，可以采用低压单栅氧化物特高压技术。
也有一些时候，既需要驱动外部离散高压mosfet的顶级高压性能，又需要低成本。在这种情况下，可以采用高压单栅氧化物特高压技术。
一些地区，比如美国，使用110伏交流电，其他地区使用220伏交流电。由于这种差异，工作电压从350伏到700伏的特高压设备将符合要求。
MagnaChip的制造工厂位于韩国各地。从图片代工厂商MagnaChip semiconductor的
MagnaChip的目标是提供集成解决方案，包括700伏jfet、齐纳二极管、MIM(金属-绝缘体-金属)电容器和薄膜电阻。
正如MagnaChip首席执行官YJ Kim所描述的，“由于市场对LED照明和交直流转换器的需求依然强劲，特高压技术是我们专注的关键技术。”金先生补充说，“我们正在继续开发更多的特高压技术，以提高性能，满足更多的系统需求。”
