雷竞技注册
新闻

Maxim称其孤立的SIC门驱动程序“最佳类别”,可降低功率损耗30%

2019年12月18日,通过加里Elinoff

MAX22701E具有典型的300kV/µs共模瞬态抗扰度(CMTI)——“业界最高”。

max22701e.是由MAX22700, MAX22701和MAX22702组成的单通道隔离栅极驱动器的一部分。这些设备有GNDB输出选项,米勒夹具,或可调UVLO,分别。

还有两种输入配置:E版本用于使能的单端输入,D版本用于差分输入。

MAX22701E隔离SiC栅极驱动器

MAX22701E隔离SiC栅极驱动器。图片(修改)由马克西姆集成

MAX22700-MAX22702系列器件被设计用于驱动碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)晶体管。预期用途包括开关电源、电动汽车、太阳能逆变器和数据农场。

什么是共模瞬态免疫力?

共模瞬态免疫(CMTI)是一种分类数字隔离器在经过快速,瞬态电压脉冲时运行的能力的一种方法。这些共模脉冲可以出现在隔离器的发送侧,接收侧或隔离器的两侧。

设备的CMTI通常在每个微秒的伏特中指定,是可以在指定参数内安全地进行隔离器的最大脉冲。


提高功率效率

Maxim声称,MAX22701E的300kV/µs CMTI比最接近的竞争对手高出3倍,从而增加了系统的正常运行时间。在高边和低边栅极驱动器之间匹配35ns的传播规范和最大5ns的传播延迟用于减少被驱动晶体管的死区时间。

测试电路及时序图。

测试电路及时序图。图像(PDF)马克西姆集成

这些功能可以提高功率效率高达四个百分点。正如Maxim解释的那样,在90%的效率范围内,1%的效率提高将导致约10%的功率损失减少。

作为一个例子,提高90%至94%的效率导致浪费功率的约30%至40%。


系列规格

新家庭的孤立栅极驱动器的所有成员都支持20ns的最小脉冲宽度,最大脉冲宽度失真2ns。

器件均支持300kV/μs的CMTI(典型值),且每个器件都能承受3kV的额定电压rms.60秒钟。

这些单位都有一个最大RDS(上)高侧驱动器为4.5Ω。对于低端驱动器,rDS(上)MAX22700和MAX22702为1.25Ω;R.DS(上)MAX22701为2.5Ω。

对于高端晶体管,MAX22700-MAX22702家族成员提供典型的输出电流为4安普。MAX22700和MAX22702的典型低侧电流是5.7安培和MAX22701的2.85安培。

MAX22700-MAX22702功能框图

MAX22700-MAX22702功能框图。从图片马克西姆集成

MAX22700-MAX22702系列的所有成员都封装在8引脚,窄体SOIC封装中,漏电和间隙为4mm。该包装材料具有600V的最低比较跟踪指数(CTI)。

这使其在爬电表中提供了一组。所有单位都指定为在-40°C至+ 125°C的环境温度下操作。

评估和支持工具

准则提供了MAX22700X-MAX22702X评估板适用于客户与任何一组新成员隔离的门驱动器。有两种广泛类型的评估工具包:MAX22701EVKIT和MAX22702EVKIT。

MAX22700X-MAX22702X评估板

MAX22700X-MAX22702X评估套件。从图片马克西姆集成

在他们的各种版本中,他们可以帮助客户与新家庭的任何成员一起工作,包括(PDF)MAX22700D, MAX22700E, MAX22701D, MAX22701E, MAX22702D, MAX22702E

在行业

ISO5452来自德州仪器提供了100 kV /μs典型的cmti厘米1500V。它适用于IGBT和MOSFET。

硅实验室Si827x隔离栅极驱动器具有200kv /μs的CMTI,并提供60ns的传播时间。该系列隔离器设计用于mosfet和igbt以及SiC和GaN半导体。