当设计师面临便携式消费电子产品、医疗设备和某些汽车系统的设计时，他们可能会将目光转向记忆以寻求创新。雷竞技最新app这些应用程序倾向于使用客户特定的信息，如校准常数、背景条件、用户偏好或不断变化的噪声环境。
为此，设计人员需要一种非易失性存储器ROM，可以存储少量数据，但仍然根据需要进行更新和操作。许多开发人员已转向的答案是所谓的电动可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。
本周，微芯片公司(Microchip)爆出消息，震撼了EEPROM市场。他们最新的芯片，一种4Mbit的EEPROM设备，提供的标准2Mbit EEPROM的容量增加了多次，使它成为市场上最大的。
这是如何有影响力的内存设计公告？
EEPROM在一个较低的级别
首先评估EEPROM的基本优势，我们可能会回答这个问题。一个eepm是一种器件，每个单元由两个晶体管组成:1)带有浮动栅的存储晶体管和2)操作所需的访问晶体管。
浮动门MOS与传统MOS结构。图片使用的礼貌密歇根大学
浮栅MOS结构非常类似于传统CMOS，用于将数据编程为存储器。编程的1或0逻辑状态取决于浮栅上电荷的存在与否。
示例EEPROM信号。图片使用的礼貌密歇根大学
顾名思义，设备的不可写内存可以通过对结构应用特殊的电信号擦除和随后重写。
串行和并行存取
EEPROM有两个味道：串行和并行访问。串行访问占整个EEPROM市场的90％，而平行则占10％。
并行器件以更高的密度提供，并且更快。它们的特点是它们的高耐力和可靠性。这使得它们在军事应用中有用。另一方面，串行访问速度较慢，密集较小，但更便宜。因此，串行访问用于商业应用程序。
EEPROM：它太棒了吗？
使用EEPROM的一个主要好处是，如果需要，可以很容易地对它进行操作。EEPROM还提供了比NOR Flash存储器更大的优势，因为NOR Flash只能在大块中重写，而EEPROM提供了每字节擦除。
EEPROM的优势在于它为用户提供了出色的功能和性能。只需要一个外部电源，因为用于程序/擦除的高压是由浮动门内部产生的。
eepm和闪光。感谢使用截图微芯片
EEPROM提供的福利清单继续：
- 更低的待机电流:2 μA vs. 15 μA NOR Flash
- 扇区擦除/重写时间较短:5ms vs.300ms
- 更多的擦除/重写周期1M比100K
这些优势使EEPROM基于以客户为中心的数据集存储配置数据的明显选择。不幸的是，这些设备已经满足了一个很大的限制：它们提供极低的容量。考虑到这一点，Microchip一直在努力创建下一代高容量EEPROM芯片。
Microchip将标准EEPROM的容量加倍
直到这次发布的消息，Microchip解释说，设计师可以选择低成本NOR闪存芯片“任何2mbit +非易失数据集应用程序。”然而，新的4mbit EEPROM为开发人员提供了最大的EEPROM，是大多数设计师所熟悉的2mbit密度上限的两倍。
新设备，被称为25csm04.，集成在Microchip现有的整体系统解决方案中，建立在其8位、16位和32位微控制器和微处理器。
Microchip的25csm04。使用的图像礼貌微芯片
根据Randy Drwinga，Microchip的内存产品部门的VP，公司是“推动串行EEPROM的最重要的产品创新......设计人员现在可以重新评估其系统并利用这项新技术来优化设计性能。”
记忆的新视野
来自Microchip的这个消息表明EEPROM记忆领域的显着改善，并且可能具有一些重要的影响。由于设备继续变得越来越多为用户，肯定需要对非易失性的高容量ROM。
克服EEPROM的缺点可以让设计人员获得它的好处，比如低功耗和按字节顺序的可重新编程性。在不远的将来，诸如消费电子、医疗设备和许多其他领雷竞技最新app域肯定会看到这种进步的影响。
