在最近的一份声明中，在全球NAND闪存行业排名第六的美光，推出了“全球首款176层NAND产品”远远领先于三星电子，该行业目前的领头羊。雷竞技最新app美光表示，这项新技术及其先进架构代表着存储应用领域的“重大突破”。
美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示:“美光176层NAND技术为该行业树立了一个新的标准，其层数比我们最接近的竞争对手高出近40%。”
一种新颖的更换门结构
随着摩尔定律的发展放缓，像176 -层NAND闪存设备对于帮助行业跟上不断增长的数据需求非常重要。这项技术的密度几乎是早期3D NAND设备的10倍，这意味着智能手机等设备可以做和存储更多的事情，同时变得更便宜。这对于云存储等广泛使用的应用程序来说也是一个好消息，因为云存储的数据量非常大。
不仅设备密度更大，而且在开放NAND闪存接口(ONFI)总线上，它还采用了“行业最高的数据传输速率”，每秒1600兆传输速率(MT/s)。据美光介绍，这一特点是通过创新的电路设计和架构变化而实现的。
美光的新型cmos阵列下技术在芯片电路上建立了多层单元堆栈，允许更多的内存被压缩到更小的空间，同时减少了芯片尺寸。图片由微米
在这里,美光已经用电荷陷阱方法取代了浮动门(PDF)，将其与其新颖的cmos阵列架构相结合。据该公司称，这种结构有助于提高性能和密度。这种制造技术还允许美光公司将176层材料放入同一高度;它以前只能容纳64人。
传统的栅极与非与电容结构和一种替代栅极与非与。图片由微米(PDF)
176层的NAND创造了一种电池到电池的方法，微米称这种方法更接近于无相互作用的结构，使用非导电的氮化硅层作为NAND存储单元并捕获电荷。这一层围绕在电池的控制栅极内部，起到绝缘体的作用。
小30%，快35%
该设备是美光第五代3D NAND和第二代替换门架构技术。根据美光公司的说法，它是市场上技术最先进的NAND节点因为层数与技术力量直接相关。
与前几代的3D NAND相比，美光称其176层NAND将读写延迟提高了35%以上，极大地提高了应用程序性能。它也被描述为比目前市场上的模具尺寸小30%。
美光176层的成就使其领先于三星(Samsung)和SK海力士(SK Hynix)等竞争对手。图片使用微米
凭借其176层NAND设备，美光打算服务于一系列存储应用，包括移动存储、车载信息娱乐、数据中心固态硬盘(ssd)和自动系统。对于数据中心SSD应用程序，该设备具有提高服务质量的特性，这是数据中心SSD和其他数据密集型环境和工作负载的重要包含。
美光执行副总裁兼首席业务官Sumit Sadana表示:“我们正在我们广泛的产品组合中部署这项技术，在任何使用NAND的地方带来价值，瞄准5G、人工智能、云计算和智能优势的增长机会。”公司目前在汽车记忆体市场占有很大的份额。
竞争的潜在好处
虽然这个领域的竞争随着时间的推移有所放缓，但美光的宣布可能会在细胞堆叠技术方面激发更多的竞争和创新。
从前，细胞被安排在一层里。然后三星推出了一个2013年24层3D NAND闪存。垂直堆叠很快成为半导体行业的标准，因为它的好处——即电池之间的干扰更少——被实现了。
当前NAND与替换门NAND的物理区别“更高层的堆栈意味着更大的存储容量，”美光解释说。图片由微米(PDF)
在NAND层量方面的最后一个主要成就是SK海力士在2019年6月取得的其128层4D NAND闪存被宣布。三星已经计划到2021年第三季度量产176层的第7代V-NAND闪光灯,SK海力士计划推出176层4D NAND闪存在2021年上半年。
美光的成就使他们在技术上遥遥领先。目前，大多数公司仍在为128层3D NAND芯片争论不休，该芯片于今年4月开始生产。
