越来越多的高压电子设备（例如，在数据中心和EV中）重新定义了EES中雷竞技最新app需要的内容，FET。例如，高功率应用为具有尽可能低的FET创造了巨大需求DS(上)用作负载开关。
降低RDS(上)有助于以IR损失的形式最大限度地减少功耗 - 这一事实激发了人们对宽带隙半导体的强烈兴趣。
为大功率和高频应用探索了宽带隙半导体。图片由德州仪器公司
不过，问题还不止于此。高压电子学对作为负载开关的雷竞技最新appfet提出了另一个重大挑战:逆电流保护。二极管公司希望通过其最新产品来解决这一问题:一种P沟道动力FET，设计了“真正的反向电流阻塞”。
高压电子学中的负载开关雷竞技最新app
在高压应用中，设计师必须找到一种方法，以任何方式节省电力。实现这一目标的方法之一是在电路中实现负载开关。
负载开关仅仅是根据需要连接或断开负载的手段，确保在不使用时不会通过负载消耗电源。这通常在由外部逻辑信号控制的电压轨和负载之间用一个或两个MOSFET实现。
负载开关电路的例子。图片由在半导体
在上面的例子电路中，PMOS负载开关被R1偏置，这样当使能信号低时，PMOS是关的，意味着V在和V.出彼此隔离。当使能信号高时，PMOS的栅极被驱动到地，有效地将负载连接到V出到V处的电压轨在。
高电压的挑战
了解了这些电路的外观后，我们就能了解高压应用如何带来额外的挑战。
参考示例电路，随着电压（和随后的电流）增加，相同的通过FET将消耗更多的功率DS(上)。这种电力挑战使大型投资能够进入新一代具有较低通道阻力的FET，以降低这些应用中的功耗。
通过交换机应用中的反向电流机制。图片由Rohm Semiconductor
高压应用的另一个挑战是反向电流。由于MOSFET的物理布局，在设备的漏极和源极端子之间存在寄生二极管。因此，如果v出都比V大在，这个寄生二极管变成正向偏压，并引起巨大的冲击电流从V出到V.在被称为反向电流。
反向电流在这些应用中已经成为一个更大的关注，因为更高的电压导致更高的反向电流，这可能证明是灾难性的电气系统。
二极管公司关于真正逆电流阻塞的设想
为了解决这两个问题，二极管公司本周发布了一款新产品:p通道场效应晶体管，这是一款专门用于低功率通开关应用的p通道场效应晶体管。
新的FET，叫做AP22916， R减小DS(上)5 V的60毫升，静态电流为0.5μA，以及称为“真正反向电流阻塞”（TRCB）的功能。
AP22916的功能框图。图片由二极管合并
根据东芝,TRCB与传统反向电流阻塞的不同由于TRCB在负载开关使能或禁用时阻断反向电流的流动，而传统技术仅在负载开关禁用时进行保护。
二极管公司声称，这是实现在其新开关通过一个内部反向电压比较器，比较V在和V.出在任何时候都允许“真正的”反向电流阻塞。
在可移植应用程序中寻找一席之地
与RDS(上)低于以前的解决方案和TRCB内置，其中包含二极管的新产品可能是在高功率场中设计的工程师的有用解决方案。
AP22916的典型应用电路。图片由二极管合并
包装在芯片尺度房屋（0.78 mm x 0.78 mm x 0.45 mm）中，AP22916似乎在移动设备，可穿戴设备和GPS设备等方面提供高功率密度。
特色图片使用礼貌二极管合并
