NXP推出聚焦GaN功率放大器的亚利桑那新晶圆，推动5G发展

NXP最近开设了最新的晶圆厂，一个150毫米(6英寸)射频氮化镓(GaN)工厂，位于亚利桑那州钱德勒，该公司称之为“最先进的Fab专用于美国5G RF功率放大器。“

台积电声称其亚利桑那州的新晶圆厂是美国最先进的功率放大器GaN晶圆厂恩智浦

新工厂结合了恩智浦近20年在GaN开发和射频电源方面的专业知识，以及其高产量制造能力。这将支持5G基站和工业、国防和航空航天等市场的先进基础设施的扩建。

GaN在5G中的角色：新的黄金标准？

5G大量增加了每个天线所需的RF溶液的密度。然而，与此同时，有必要保持相同的盒子尺寸并降低功耗，这对制造商来说是一个挑战，因为对于功率分量，功耗较少通常意味着更大的占地面积。

恩智浦在声明中表示，诸如此类的挑战催生了创新，而这些相互冲突的要求导致了氮化镓(GaN)功率晶体管的出现，作为解决这些问题的新“金标准”。

与州长道格·杜西和其他联邦、州和地方政府代表一起在亚利桑那州建立GaN工厂。图片由恩智浦

GaN是一种宽带隙半导体。这意味着基于它的芯片可以在比硅更小的占地面积中处理更高的电压，而硅本身被用于目前4G网络中无线电放大器的核心的LDMOS技术。它还提供了更高的功率密度，从而在更低的电流消耗和更高的效率方面带来了巨大的飞跃。

随着5G在全球的持续推出，恩智浦希望通过开设新的GaN芯片工厂，增加其先进GaN射频芯片的供应。

亚利桑那州：芯片开发的“创新枢纽”

该工厂将作为“创新中心”作为“创新中心”，以促进工厂和恩智浦本现场研发团队之间的合作。这将导致NXP GAN设备的生产周期，其中包含现场工程师，了解更多他们需要对当前和未来GAN设备的快速开发和验证所需的一切。

亚利桑那州似乎也是硅开发的温床。今年早些时候,台积电宣布计划在亚利桑那州建设120亿美元作为对美国政府呼吁在国内建立更多芯片工厂。

企业5G在作品中的开发

恩智浦的公告是最新的全球5G相关发展的发展。

就在最近，英国的芬兰跨国电信巨头诺基亚完成了一项交易，成为英国电信集团最大的设备供应商该公司是英国最大的固网、宽带和移动服务提供商。作为协议的一部分，诺基亚将在英国电信现有的2G和4G网络中取代华为，并在英国正在进行的5G推出中发挥关键作用。

诺基亚将通过交易成为英国最大的5克提供商。图片使用的礼貌英国广播公司

随着5G在全球范围内的顺利推出，以及华为被几个西方国家(以及日本和台湾)禁止进入移动网络，这是电信公司和半导体制造商支持系统级开发的激动人心的时刻。

恩智浦的新FAB预计将在2020年底达到全部容量。