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半导体领导人银行掌握WBG的力量

2020年11月20日经过卢克詹姆斯

随着我们迅速到达摩尔定律的终结，半导体巨头St，Cree和英飞凌在潜在的硅替代品的尾部很热，承诺更小，更快，更可靠的设备。

硅集成电路（IC）的发明差不多60年前为现代计算和今天的技术燃料电子时代铺平了道路。雷竞技最新app虽然硅不会去任何地方，但在过去的几年里，替代半导体材料已将阶段作为强竞争对手- 专注于汽车和空间行业。

2006年关于摩尔法如何进展到2025年的估计

这不是一种可持续的情况，因为随着更多晶体管被包装成较小的空间，产生更多的热量。随着时间的推移，我们很快就随着设计工程师努力满足具有更大功率密度和能源效率的新设备的市场需求，我们非常快速地接近Silicon的身体限位。

虽然我们不确定何时何时达到这个限制 -在包括摩尔本人在内的预测员预计将在2025年左右发生- 我们知道的是，我们需要半导体替代方案，可以比硅更好地处理小型化的约束。

这就是半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），宽带隙（WBG）半导体，进来。

WBG半导体在整个半导体行业中振荡了很多兴奋，尤其是电力电子器件所关注的地方。雷竞技最新app

WBG的主要好处是它们的带隙 - 绝缘和导电状态之间的能量差 - 远大于硅的能量差。结果，使用设备使用WBGS可以处理更高的电压，在较高温度下运行，并在使用较少的能量时实现更高的频率。

与其他宽带隙半导体相比的硅的物理性质

但是，这是一个相当新的技术，使用WBG半导体的设备目前超过其基于硅的表兄弟，这有利于经过验证的赛道记录。

为了鼓励使用WBG半导体技术，IEEE电力电子社会（PELS）发布了他们的雷竞技最新appWBG电源半导体路线图2019年9月，战略性看着WBG的长期景观，其未来以及对那些寻求有关WBG技术的更加语境信息的人来说，这是什么意义。

今年从大型半导体行业领导者搬到了大量活动，旨在探索SIC和GAN等技术，为他们提供更多的力量。

三月，STMicroelectro雷竞技最新appnics--在1996年首次开始使用SIC MOSFET和二极管开始在SIC市场中建立了强大的SIC市场存在。在法国GAN Invator获得Exagan的大多数股份。

虽然SIC和GaN都是WBG半导体，但它们解决了电力IC市场的不同部分。因此，收购将允许St在工业市场上满足不同的客户需求。

Exagan提供两个主要的GaN产品

St表示，其GaN产品将解决各种应用，如电源因数校正，DC / DC转换器，以及空间，行业和电信等部分的适配器。ST GaN产品的未来发展将使汽车领域与电动汽车和轻度混合直流转换器的车载充电器定位。

最近，Cree和Infineon参与了专注于扩大SIC开发工作的交易。

10月中旬，Cree宣布将其LED业务销售30000万美元，以至于Smart Global Holdings，Inc。，代表CREE转换为“纯粹的全球半导体能级”中的里程碑的交易，它将专注于SIC和GAN设备。CREE的产品阵容已经包括SIC，主要是在其Wolfspeed产品家庭中，但该公司正在通过销售商业其他元素来独家磨练SIC。

Cree 650V SiC MOSFET

Cree的首席执行官Gregg Lowe表示，该销售将使该公司能够以战略性的重点定位，能够引领SI转移到SIC和资本支持持续投资电动汽车，5G和工业应用的增长机会。

那是11月，英飞凌与GT先进技术（GTAT）签署了SIC BOULS的供应协议响应于工业和汽车应用的基于SiC的开关的稳步增加。

英飞凌与GTAT的一致

“随着我们现已结束的供应协议，我们确保我们能够满足客户对客户的迅速增长的需求，拥有多元化的供应商基地。英飞凌工业电力控制司总裁Peter Wawer说，GTAT的高质量卷曲将为竞争力的SIC晶片提供竞争性SIC晶片的额外来源。“

这是从涂料清晰的半导体公司这样的活动：像SiC和GaN这样的WBG半导体将在基于SI的IC开始达到其物质限制并失去动力时，这将发挥关键作用。毫无疑问，随后，我们很快就会开始看到更多来自Semi公司的WBG技术的重点。