在SIC芯片，模块和电源堆栈周围的采集和开发上获取更新。
碳化硅(SiC)芯片的发展非常迅速，很大程度上是因为它们能够为从电动汽车(ev)到可再生能源再到电机驱动等广泛领域的设计提供更高的开关效率和功率密度。
以下是一些来自主要公司的一些举措，包括微芯片，rohm，stmicroolics和英飞凌，以证明该半导体是严重的业务的证据。雷竞技最新app
微芯片
微芯片是最新的IC供应商宣布SiC设备用于电动汽车系统，如外部充电站、车载充电器、DC-DC转换器、动力总成和牵引力控制解决方案。这家总部位于亚利桑那州钱德勒(Chandler)的芯片制造商的宽频带隙技术资产来自于微软2018年购买Microsemi。本月，微芯片推出了一套新的产品套件包括700 V SIC MOSFET和700 V和1200 V SIC肖特基屏障二极管（SBD）。
图像从微芯片
这些SiC芯片——mosfet和sbt——在更高的频率上提供了更有效的开关，并且在非夹紧电感开关(UIS)等坚固性测试中比竞争对手SiC二极管表现好20%。UIS坚固性测试测量设备在雪崩条件下(当电压峰值超过设备的击穿电压时)承受退化或过早失效的能力。
Microchip还声称，其SiC mosfet表现出更好的栅极氧化物屏蔽和通道完整性，即使经过100,000次重复UIS (RUIS)测试，寿命也很少退化。
Rohm Semiconductor
同样，RoHM半导体已发布10个新的汽车级SIC MOSFET。Rohm正在瞄准它SCT3xxxxxHR用于板载充电器和DC/DC转换器的SiC mosfet系列。ROHM是第一个在2010年12月制造SiC mosfet的芯片制造商。后来，在2012年，该公司开始为板载充电器提供肖特基势垒二极管。
ROHM还宣布开发一种1700v / 250a额定SiC功率模块，该模块包含公司的SiC mosfet和SiC肖特基阻挡二极管;与同类碳化硅产品相比，它优化了内部结构，使ON电阻降低了10%。
Rohm正在瞄准BSM250D17P2E004逆变器和转换器应用中的模块在户外发电系统和工业高压电源中的应用。日本芯片制造商声称采用了新的施工方法和涂层材料来防止介电击穿，抑制漏电流的增加。反过来，确保高压和高温环境中的可靠性。
除了新的SiC产品，最值得注意的是，大型芯片制造商正在收购SiC晶圆资产，以应对未来的需求。以下几个例子展示了这些收购是如何帮助扩展SiC生态系统的。
SiC晶圆:开发还是收购?
例如，STMi雷竞技最新appcroelectronics在瑞典SiC晶片制造商中获得了大多数堆栈Norstel，开发和制造高级150 mm SiC裸露和外延晶片。诺斯特尔成立于2005年，是林雪平大学的疏通。
就在一个月前，在2019年1月，意法半导体签署了一项多年SiC晶圆供应协议Wolfspeed。Wolfspeed将提供150毫米碳化硅裸露和外延晶片的ST。
与ST一样，英飞凌科技(Infineon Technologies)也在积极开发用于汽车和工业设计的基于sic的芯片和模块。2018年11月，这家德国芯片制造商宣布收购事项一家位于德累斯顿的初创公司Siltectra。
与普通的锯切技术相比，Siltectra的技术以最小的材料损失分解晶体材料。截图的Siltectra
Siltectra开发了“冷拆性”技术，可有效地处理晶体材料，并具有最小的材料损失。英飞凌计划采用冷分裂技术来分开SiC晶片，并将芯片上的芯片数倍加倍。
这些在设计和晶圆领域的活动表明SiC技术的加速发展和采用。基于sic的芯片、模块和电源堆栈目前服务于多种应用，如xEV、xEV充电基础设施、PFC电源、光伏、不间断电源(UPS)、电机驱动、风力和轨道。
你对SIC崛起的看法是什么？您有设计EV系统的经验吗？在下面的评论中分享您的想法。
特色图片使用礼貌微芯片。
