新650V IGBT系列的第一个成员已经发布，这是一个40A设备，具有保护二极管。
新STMicroelectronics系列的成员具有雷竞技最新app典型的1.55 V@IC=40 A的VCE（sat），并针对PFC（功率因数校正）、焊接、不间断电源和太阳能逆变器等应用。
委员会成员IGBT 650 V HB2系列基于沟槽场止动结构。它们针对开关频率在16至60 kHz之间的应用进行了优化。HB2系列的性能在传导方面得到了优化，这得益于更好的V塞萨特在低电流值下以及在降低开关能量方面的行为。
IGBT 650 V HB2系列是意法半导体STPOWER产品组合的一部分。根据意法半导体它们的栅极电荷减少，能够在低栅极电流下实现快速开关。卓越的热性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，
家庭中第一个可用的成员是40A STGWA40HP65FB2，详情如下。
来自意法半导体雷竞技最新app
HB2系列的未来成员将提供三种不同二极管选项的选择：保护二极管、半额定二极管和全额定二极管。IC电流能力范围为15A至100A。你最终将能够在他们的主页上浏览家庭页面产品选择，虽然现在只有一个条目。
STGWA40HP65FB2
650V设备系列的先驱产品是40A STGWA40HP65FB2. 它使用一个仅用于保护目的的二极管，该二极管与IGBT以反并联方式共同封装。其结果是产品设计为最大限度地提高效率为广泛的快速应用。
该器件具有最小的尾电流、低热阻和正V塞萨特温度系数。
电最大值
以下列出了设计师非常感兴趣的一些重要电气参数：
表取自数据表
电路图取自数据表
该设备符合重要的AEC-Q101标准。它采用TO-247长引线封装。
IGBT+保护二极管=一个成功的组合
IGBT与保护二极管共同封装的想法可能正在流行。下面列出的两个制造商的联合封装方式与ST相似，但有一个转折点：SiC肖特基二极管。
- 这个QID1210006来自Powerex的模块包含两个IGBT，每个晶体管具有反向连接的超快速恢复自由轮SiC（碳化硅）肖特基二极管。该设备在1200 V电压下可处理高达100 A的电流。
- 最近公布的AFGHL50T65SQDC由ON Semiconductor提供，采用硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管共同封装。该装置的额定电压为650 V，能够在25°C下处理高达100 A的连续电流。
