虽然世界其他地方正在掌握5G技术，但研究人员正在为6G奠定基础。这将超越5克的电流能力，超过10 Gbps数据速率和1毫秒的延迟。它还可以通过4G LTE连接到100倍的设备，并提供1,000倍的带宽以及其他改进，由Thales中指出5G技术综述。
6G频谱和KPI目标。图片由6克研究愿景
现在，我们知道最少满足6G需要满足，但我们将如何做到这一点？为了回答这个问题，研究人员正在调查将正在传输和接收这些信号的频率范围和电路。
d波段和6G波段
根据电子实验室CEA-Leti写的一篇论文，通过波浪通信雷竞技最新app毫米频段（MMWaves） - 特殊地是D波段 - 是6G技术将旅行的通道。D频带只是无线通信的指定频率范围集。在一个介绍d带，诺基亚概述了这些范围：
- 130-134 GHz
- 141-148.5 GHz
- 151.5 - -155.5 GHz
- 155.5 - -158.5 GHz
- -164年158.5 GHz
- 167 - 174.7 GHz
这些总共高达31.7 GHz的频率可以用于6g，这是很大的带宽!这是与近似相比较5G的带宽的13 GHz高通(Qualcomm)表示。这次升级可以使每个单位区域有更多的连接。当这些频率是开放的，物理屏障会对这些波产生影响。CEA-Leti建议需要高增益天线和电路。
电路直达D波挑战
格勒诺布尔大学创造了一种设计，具有这样一个高增益天线。该天线模块利用一些D波段，在114GHz和138GHz之间工作，最大为25dBi增益，最小增益为22 dBi。
该电路通过集成的倍频器实现超快速短程通信。该倍增器由一系列自混频器电路和放大级组成。自混频器使输出频率比输入信号增加一倍。下面是天线驱动电路和单个混频器阶段的电路的框图。
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天线驱动程序块图和布局。图片由Francesco Foglia Manzillo等人
在总天线驱动电路中，标记为“输入巴伦”的部分是差分信号进入第一个混频器级的地方。用于混频器和放大器级的有源部分(晶体管电路——每个模块的橙色部分)尺寸相同，但输出电感和变压器(布局图中绿色的形状)在每一级都根据它们所处理的频率进行了优化。
因此，我们看到电感器和变压器随着频率的增加而降低尺寸。而且，虽然第一放大阶段是单个放大器，但相应的级是级联放大器，用于加倍每个阶段的增益。所有这些放大器都是相同的常见源伪差分阶段。
NMOS晶体管优化频率响应
现在，我们可以看到混频器原理图只实现了NMOS晶体管。这是因为CEA-Leti担心CMOS电路对d波段高频的响应能力。混频器电路实现两个晶体管用于差分输入(M5和M6)，以下拉方式连接到差分对NMOS晶体管(M1和M2;M3, M4)。
耦合变压器自混级原理图及布局图。图片由Francesco Foglia Manzillo等人
M1和M3分别接在输出变压器的一侧，第二侧接在M2和M4。
现在，由于M5和M6是由差分信号控制的，M1和M3传导在输入波的相反半周期。这意味着在前半个循环中，M1是封闭的，M3是开放的，在后半个循环中，M3是封闭的，M1是开放的。
M2和M4发生同样的事情。M1 / M3和M2 / M4的输出节点用于差分信号，并且是输入频率的两倍，因为晶体管组合在不同的半周期上截止。然后将混合器通过变压器耦合到以下扩增阶段。
该电路中所有的NMOS晶体管(混频器和放大器)都是低阈值晶体管，优化了电路的频率响应。
6G将如何前进？
D波段和新颖的电路设计如天线电路都可以是6G技术的良好初始框架。虽然我们有一个想法6G信号将在哪里旅行，但仍有很长的路要走。我们仍然需要使用此频段进行更长的范围沟通，并考虑大规模集成的挑战。
SIRADEL的射线追踪工具已经帮助美国航天局开发了一种电子可操控天线，以避免室外物体阻碍太赫兹无线性能。图片由CEA-Leti
d波段拥有远超5G的空间和能力，新的晶体管电路设计将允许天线发射和接收获得如此高的增益，这将使我们能够在高频上通信。
目前，5G已经登上了主舞台，但在幕后，6G可能并不像我们想象的那么遥远。
