TOSHIBA提供了新的SLC NAND器件系列的替代方案和记忆

东芝宣布新款SLC NAND闪存产品的八名成员。与前一代104 MHz相比，该器件具有133 MHz的提高速度。值得注意的是，还有一个用于在4位（QSPI）模式下编程数据的新命令。

图片来自Toshiba Memory

什么是SLC NAND Flash?

SLC代表“单级单元”，其中“单元格”是闪存的存储器存储单元。SLC NAND Flash可以存储一点内存。这与可以存储多个位的多级单元（MLC）NAND闪存形成鲜明对比。

由于这种较高的数据密度，MLC闪光灯具有较低的每位存储成本的优点。基于此信息，东芝内存似乎对此追求SLC NAND可能看起来逆行。在上下文中，关键在于，在工程中谎言。

与MLC相比，SLC拥有更大的数据传输速率。值得注意的是，MLC更容易出错(如SLC具有较低的RBER或原始误码率)，因此必须使用错误检查。MLC的另一个缺点是它比SLC需要更多的功率。因此，SLC对那些使用需要更快数据传输速率的应用程序的设计人员很有吸引力。

高速传输速率应用

东芝声称，新系列的设备将适用于需要更高数据传输速率的广泛应用。他们希望这些应用既包括消费产品(如打印机、可穿戴设备和平板电视)，也包括工业产品(如机器人)。

SLC NAND vs NOR内存

为消费者和工业设备的嵌入式应用程序来说，闪存也长期以来。但是，在当今的嵌入式设备中，特别是对于IOT和通信应用程序，需要更大的内存密度。小型程度的小型化需要在占用最少可能的电路板空间的封装中快速，大容量的闪存。

此外，趋势是从高引脚计数的并行地址和数据总线转向低引脚计数的串行接口。这使得NOR的替代选择更加重要。

据东芝美国内存公司业务发展总监Brian Kumagai所说，东芝很清楚，即使MLC找到了实用性，他们也“仍然致力于支持SLC”。他补充说，这种新的设备系列提供了“一个优秀的NOR闪存替代方案”，并引用了NAND解决方案的更高密度和更低成本。

东芝新NAND闪存产品家族成员

东芝新的串行接口NAND系列由8个产品组成，电源电压分别为2.70至3.60V和1.70至1.95V。它们通过流行的SPI(串行外设接口)总线进行通信。此外，东芝表示，8gb设备的加入为他们所谓的“第二代”产品带来了更好的NAND密度。

每一款都有3.3V或1.8V选项。

• 1GB→TC58CVG0S3HRAIJ.
• 2 gb→TC58CVG1S3HRAIJ
• 4 gb→TC58CVG2S0HRAIJ
• 8 gb→TH58CVG3S0HRAIJ

附加功能:

• 133 mhz的工作频率
• 程序/读取x4模式
• 高速顺序读取功能
• ECC功能(开/关、位翻转计数报告)
• 数据保护功能（能够保护特定块）
• 参数页面功能(可输出设备详细信息)

该单元将采用8针WSON(非常非常薄的小轮廓无铅封装)封装，占用不足6mm × 8mm的板空间。它们都能在-40°C和+85°C之间工作。

行业中的NAND存储器

NAND存储器是一个蓬勃发展的行业。以下是与东芝此次声明相关的其他一些设备。

• 三星提供了一系列SLC NAND闪存设备I / O速度为40 Mbps。密度范围为1 GB至16 GB。
• 柏树的系列SLC NAND闪存产品密度也从1gb到16gb不等。这些单位是AEC-Q100合格。
• 华邦电子的串行NAND闪存具有4gb密度和104mhz的I/O速度。该公司还提供了2gb、1gb和512mb的版本。

---

你在工作中通常遇到什么样的记忆力要求?请在下面的评论中分享你的经验。