IEEE奖项台积电为7纳米领导力。TSMC在哪里下次？

TSMC已经授予其在7纳米半导体铸造技术中的领导力，一个能够从电子产品制造商广泛创新的节点都大而小。雷竞技最新appIEEE的企业创新奖是为公司，政府和学术组织保留的，这些组织在IEEE的利益领域中表现出了杰出的创新。

2021年企业创新奖具体揭示了台积电的技术领导层与其开放式创新平台，这两者都为5G移动和高性能计算的新产品铺平了道路。

7nm领导

“台积电在发展7NM技术方面的成就，并实现了IC设计人员的创新，使其成为一组选择持续对工程领域的组织，以及对世界的组织中，”Ieee总统Toshio Fukuda说。

2016年，TSMC的7NM FinFET技术提供256MB SRAM.。使用的图像礼貌台长

台积电的业务方法及其铸造模型意味着其7nm工艺技术是世界上最先进的逻辑技术首次可供整个半导体行业作为开放式平台。

自2018年4月进入批量生产以来，TSMC为数十个客户的数百种产品制造了超过10亿美元的模具，在数据中心，5G，高性能计算和人工智能等领域启用创新。

“我们很感激IEEE以获得这种着名的荣誉;它让我们进一步启发了灵活的启示，以寻找释放我们的客户的创新，“TSMC董事长刘马克刘表示。

超过7nm

7NM不是近年来台积电卓越的技术。

超过7纳米，台湾公司爆发为第一款制造商，为2019年初为5NM工艺技术提供了全面的设计基础设施。到今年年底，TSMC已经排队了顾客的5nm流程，宣布它将成为一个选择的Asics，现在已知的少数内容包括Apple，Intel，Mediatek，Nvidia和Qualcomm。

TSMC的铸造工艺技术可以在上述时间线上看到，1987年在3微米后休息，其第一工艺技术在内部开发。使用的图像礼貌台长

与之TSMC 5nm节点将在与7nm相比的巨大逻辑密度增加1.84倍的巨大逻辑密度增加之外的电力，性能和尺寸的改进。为移动和高性能计算设计和优化，过程技术是TSMC的第二个，它将利用极端紫外线（EUV）光刻。

它还提供最高的晶体管密度迄今为止，将激烈应用所需的所有电力包装成它们所需的较小占用空间和功耗水平。

下次TSMC是什么？

尽管7nm仍然是一个新的过程技术，并且在10月中旬的5nm节点上商业化的第一个设备，TSMC已经展望了3nm和2nm。

在台积电的年度技术研讨会上（今年在线进行），台湾半导体巨头的详细特征其未来的3nm流程节点自2019年后期以来一直在努力工作。

该公司上个月最终确定了其195亿美元的39亿美元的建设。根据台积电，3nm流程被设定为成为世界上最快，最先进的逻辑技术迄今为止，分别提供高达15％和30％的性能提升和减少，逻辑密度增益为70％以上。

至于2nm，TSMC还没有说过，评论员预计TSMC将在2023或2024年开始出现风险生产，但这不是石头。至于可能超过2nm，TSMC尚未宣布或暗示任何内容。

但是，英特尔有2019到2029路线图。英特尔期望2023,2025,2027和2029年的“基本新节点”，最终在1.4纳米。鉴于英特尔与7nm的问题，这条路线图遇到了一些怀疑主义。