2021年内存技术的趋势是什么?
2021年4月08日通过阿德里安·吉布尔斯尽管芯片制造陷入停顿，电子供应链关闭，但芯片制造商和研究人员仍在努力开发更好的存储技术，雷竞技最新app以增强计算潜力。
计算技术面临三方面的难题:与covid -19相关的带宽需求、持续的半导体短缺，以及摩尔定律的暮年。
如果AI和机器学习是在大流行后进入这个远程生活方式，那么内存将是关键。但在过去的几年里，内存技术只是经历了迭代的改进很少有突破性的技术，比如DRAM(1966年)、SRAM(1969年)和NAND(1980年)的发展。
2021年内存的发展路线图会是怎样的?
DRAM即将短缺?
内存立即挑战是DRAM潜在的严重短缺，美光科技表示，随着2021年的进展，这种情况可能会恶化。这是由于数据中心的飙升要求和影响台湾工厂的干旱条件。
捷普(Jabil)对许多行业半导体短缺影响的趋势分析。图片由捷普电子
这些短缺波及整个行业，公司竞相从日益减少的供应中获取芯片，这影响了个人的工作。
SK海力士公布DRAM和NAND计划
尽管存在这些不足，内存技术的领导者们已经承诺在DRAM和NAND的硬件水平上进行改进。具体来说，SK Hynix最近在IEEE IRPS研讨会的主题演讲中透露了其DRAM和NAND技术的计划。在那里，首席执行官李石熙(Seok-Hee Lee)讨论了记忆技术在推进ICT和可持续地球中的重要性。
扩展内存技术的障碍。图片由SK Hynix.
此外，李先生精确定位了他公司今年已映射的一些技术级别的举措。对于DRAM，SK Hynix将专注于拱起光刻的挑战，维护电池电容器的电容，并降低金属的电阻进行互连。对于NAND，本公司打算在寻找薄膜应力问题的溶液的同时，确保高纵横比接触（HARC）蚀刻技术和细胞介电特性。
IBM瞄准MRAM部署
SRAM，DRAM和NAND等内存架构是参数的权衡，例如密度，速度，波动性和耐力（读/写循环寿命）。自旋传递扭矩磁性RAM (STT-MRAM)是一个潜在的游戏变化器，IBM几十年来一直在工作。
作为一种“改变游戏规则”的发展，MRAM可能会影响未来所有内存应用程序。图片由《福布斯》
解决与MRAM相关的挑战意味着克服这四个参数，创建一个与现有技术竞争的新架构，同时降低50%的功耗。据福布斯分析师称，2021年可能是IBM在MRAM领域取得突破的一年。
DDR5和非易失性的RAM游行
继续沿着2020年的轨道前进，DDR5看起来很准备今年持续增长。最近，三星发布了一款512gb的DDR5模块，主要针对AI、ML和超级计算应用。SK Hynix和Micron也有将资源分配给DDR5以保护汽车内存。
与此同时，英飞凌加大了对非易失静态RAM (nvRAM)的投入，发布了具有该功能的第二代设备自动20年的数据保留在停电事件。
3 .弥补其他记忆力的改善
在您的职业生涯中，您如何看待内存技术的发展?请在下面的评论中分享你的想法。
