大多数汽车系统中使用的48v电源给设计工程师选择集成的部件带来了独特的限制。
一方面，这些系统需要能处理更高电流、更高输入电压和(通常)更低R的晶体管DS（开）价值观。然而，甚至设计用于处理这些电压的晶体管可能在某些条件下失效，即汽车系统中常见的高瞬态尖峰。
Nexperia的新款80 V RET为EV系统。使用的图像礼貌nexperia
Nexperia旨在通过最新版本来缓解这个问题：一个80 V电阻的晶体管（RET）。这些RET，也称为数字晶体管，设计用于帮助面向未来的汽车设计，使组件足够超过足够的电压净空以满足EV板的需求。
什么是配备电阻器的晶体管（RET）？
RET是一种双极晶体管具有内置偏置网络，包括系列基电阻器和基极电阻器。
NPN RET，图片由东芝
输入电阻器用于将输入电压转换为电流，而基极电阻器有助于吸收漏电流并防止由于噪声引起的故障。该BJT就像一个正常的BJT一样，饱和度为约0.7V。这意味着当输入电流小（R1两端的电压小）时，大部分电流将通过R2沉入接地。
当输入电流很大时，大多数将通过〜0.7 / R2电流流到地，转到晶体管的底座。因此，此设置可确保安全操作，保护免受噪声的影响（假设它们是小电压）。
大多数情况下，RET运行为开关。
为什么设计人员可以选择在EV系统中的RET
虽然RET工作要确保安全操作，但设计人员也可以设计具有两个离散电阻的离散晶体管，并实现相同的结果。
RET更受欢迎的原因是所有组件都集成到一个包装中，节省了一揽子板空间和成本。虽然保存板空间始终是设计师的重要考虑因素，但EV工程师可能特别关注这一目标，使系统尽可能轻质。
输出与RET的输入电压。使用的图像礼貌在半导体上
然而，在发生大电压尖峰时，下行的缺点是48 V趋势趋于失效。如前所述，设置旨在防止由于小噪声电流引起的故障。当发生大电压波动时，输入基极电流大致（vfluctuation-0.7V）/ R1放大器。因此，当这些波动过高时，晶体管可以体验到过高并导致燃烧的基本电流。
值得注意的是，EV系统中的高度流行和广泛使用的晶体管替代方案是高功率MOSFET，例如SiC FET或其他48 V FET。
ret适合电梯
使用新设计，该设计意味着处理80 V标准操作，Nexperia提供了一种在电动汽车系统中使用RETs的方法不用担心电压尖峰导致的故障。Nexperia声称，这是业内首款80v RET，这一消息更具有重大意义，因为这可能是首个将RET真正应用于电动汽车系统的实例之一。
