世界上第一个3nm卷尺：Cadence和IMEC展示了新颖的光刻技术

新闻简介：Cadence Design Systems和IMEC宣布了世界上第一个3nm磁带，允许较小的晶体管（FinFET）节点并将门打开到单个芯片上的更多晶体管。

Cadence设计系统和IMEC的3nm磁带磁带可以允许更多的晶体管包装到芯片上。这是在2015年播出了5nm浪费的两家公司之间的工作。

这些公司使用极端紫外线和193个浸入式光刻技术以及Cadence的Innovus实施系统和组合解决方案实现了这一点。使用3nm标准电池库，装饰金属流量和21nm的路由间距，产生64位MCU的测试芯片。

Cadence和IMEC在2018年的Spie推进光刻大会上发布了公告，其中半导体公司，专家和研究人员聚集在一起，以更新的思想知识了解最新的制造和材料问题。

芯片布局的地方和21 nm间距金属层的路线。图片由节奏设计系统提供。

这是纳米电子的一大步，因为硅设计开始在尺寸方面达到限制雷竞技最新app。制作较小的晶体管是一个重大挑战，特别是从制造角度来看，作为精确度和精度都是纳米尺寸的关键。

摩尔定律，这使得硅芯片每两年晶体管密度应该翻倍，越来越难以维持。我们倾向于通过我们在芯片上适应更多晶体管的能力，倾向于将计算能力相关，但是由于这变得越来越困难，因此继续扩展计算能力的其他聪明方式正在变得越来越焦点，例如高性能和平行计算。

什么是极端的超紫色光刻？

极端的紫外线光刻是一种下一代光刻技术，预计将以高卷用于2020。该技术使用极端的超紫色波长（13.5nm）来蚀刻微芯片，可以具有小于0.1微米的线。该过程通过将来自图案的超紫色光反射到硅晶片上并燃烧设计。

极端的紫外线光刻。图片礼貌巴雷特集团。

然而，该过程仍然遭受精度的问题，这在用于反映UV光的专用镜子上具有高度依赖性。例如，双向模式中的尖端间隙仍然是最难以打印的。

尽管如此，主要的半导体公司仍然将时间和资源投入到开发方法中，因为它仍然是晶体管尺寸减少的最有希望的方式之一。

什么是193年浸入式光刻？

浸入光刻。图片礼貌受控环境杂志。

193浸入光刻是一种使用液体介质作为浸入式流体来增强光刻分裂的技术，其具有大于1的折射率，例如通常存在于透镜和水表面之间的气隙的替代物。这可以为相当于折射率的光刻提供更大的分辨率。

在193年，特别是浸入式光刻，使用193nm波长的光用于蚀刻工艺。

然而，该过程仍然面临挑战，包括颗粒产生，水电离和液体脱气。

摩尔定法仍然困扰着筹码家制造商的步骤，代表了越来越艰难的挑战。纳米球体中的这项工作需要新的方法和材料。来年可能会带来较小的创新，所以保持调整。