了解ST的第二代碳化硅二极管,其特点是提高了电流能力和峰值反向电压,同时保持了SiC如此吸引人的关断行为。
碳化硅(SiC) mosfet优越的开关能力,结合这些功率器件和寄生元件的特定电气特性,需要特别注意栅驱动电路和布局设计,以避免振铃和超调成为一个问题。
在本应用笔记中,以三种升压PFC拓扑为例,学习阈值电压、增益、固有电容、电阻和工作温度不匹配如何影响并联配置中的器件行为。
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