IGBTS.

因为他们的绝缘盖茨，IGFET.所有类型的电流增益具有极高的电流增益：如果没有连续的栅极电路，则可以没有持续的栅极电流，其中电流可能不断流动。我们通过IGFET的栅极终端看到的唯一电流是可能需要什么瞬态（简要浪涌）来对栅极通道电容充电，并将耗尽区域移位为晶体管从“ON”状态到“关闭“状态，反之亦然。

首先，这种高电流增益似乎将在不同的晶体管中将IGFET技术放置在双极晶体管上，以控制非常大的电流。如果一个双极结晶体管用于控制大集电极电流，根据β比例，必须有一些控制电路的基本电流或沉没。为了举起一个例子，为了使电力BJT具有β为β为100个放大器的集电极电流，必须至少有5个基本电流的AMPS，对于微型离散或集成控制电路本身的大量电流。处理：

具有控制电路的晶体管

从控制电路的角度来看，它会具有高电流增益的功率晶体管，因此控制负载电流需要较小的电流。当然，我们可以使用达林顿对晶体管为了增加当前的增益，但这种布置仍然需要远远超过相同的电源IGFET的控制电流：

然而，遗憾的是，IGFET存在自己的控制高电流的问题：它们通常在饱和BJT的集电极到发射极电压降的同时表现出更大的漏极 - 源电压降。这种更大的电压降等于相同量的负载电流的较高功耗，限制IGFET作为高功率器件的有用性。虽然一些专门的设计如所谓的VMOS晶体管，但是设计用于最小化这种固有的缺点，但双极结晶体管仍然优于切换高电流的能力。

这种困境的一个有趣的解决方案利用IGFET的最佳特征在一个名为绝缘栅极双极晶体管或IGBT的一个设备中具有BJT的最佳特征。也称为双极模式MOSFET，导电性调制的场效应晶体管（COMFET），或者简单地作为绝缘栅极晶体管（IGT），其等同于Darlington对IGFET和BJT：

原理图符号和等效电路

实质上，IGFET控制了BJT的基准电流，该基准电流处理收集器和发射器之间的主负载电流。这样，存在极高的电流增益（由于IGFET的绝缘栅极实际上没有来自控制电路的电流），但是在完全传导期间的集电极到发射极电压降低于普通BJT的电压降低。

IGBT的缺点

IGBT在标准BJT上的一个缺点是其较慢的关断时间。为了快速切换和高电流处理能力，难以击败双极连接晶体管。IGBT的更快关闭时间可以通过某些设计变化来实现，但仅在收集器和发射器之间的较高饱和电压降的费用。然而，IGBT为高功率控制应用提供了IGFET和BJT的良好替代方案。

相关工作表：

• 绝缘门双极晶体管工作表