JFET放大器

继续讨论JFET看看JFET放大器中使用的三种常见配置。JFET相当于双极型晶体管放大器的结构是:共源和双极的共发射极比较，共门和共基极比较，然后共漏和双极的共集电极比较。

首先，我们来看看共源放大器。同样，这与共发射极放大器相比。我们将注意到CS旁路帽接地的交流源，因此共源。还记得我们叫共发射极放大器的原因吗，我们叫它这个名字的原因是因为有一个电容直接连接到发射极，然后接地。这是交流电的地面。我们不叫它共发射极，而叫它共发射极。这就是为什么。

我们有C1和C0作为耦合电容器。这里C1将信号源连接到门，C0将输出连接到负载。你会注意到这里的负载，这里有一个零伏的参考电压。此时，需要注意的是，我们在共发射极中讨论过，漏极是直流电平。让我们假设这里有10伏正极，以使这些设计的信号流量达到最大。这些电压大概是5伏。

这里的输出，交流电，将是交流电但它将是5伏。如果你看到一个示波器你会在这里看到5伏，但是在5伏的水平，你会看到交流信号在那里。你有这个输出电容的原因，这个耦合电容的原因是你不希望负载上有直流。请记住，一个电容不仅仅通过直流，而是通过交流。交流信号通过电容到达负载。注意这里的参考电压是零伏。
相位反转距离输入和输出180度。这并不奇怪。这也是我们对共发射极放大器所做的。这提供了高电压和功率增益，它倾向于在电流增益方面有点不稳定。通常他们会在这里放置一个元件，另一个电阻，它会抵消那些变化和电流增益。这也可以用共发射极放大器来实现。

我们继续在这里。看，这仍然是公共源放大器。一些事情，我们需要提到:JFET的门通过RG返回到地面。记住，信号源在这里。注意这里的RINT。这表示信号源的内部阻抗。还记得我们讲过输出阻抗以及当你产生一个信号时，信号的一部分是如何通过源的。在这种情况下，500欧姆就是这个信号将在一个源上丢失的量。注意路径。它从这里到C1。这里有一个很大的1兆欧电阻。

有几种方法交流信号可以去。它可以到这里。也可以到这里。回想一下，门源结不通过电流。静电差形成了漏极的偏置，并形成了损耗层。电流会通过这里的滞后。回想一下，注意这里的1兆欧电阻和信号源的小输出阻抗。大部分信号会在这里被感应到然后直接传送到星门。

当电流流过RS并在栅极上施加正电压时。这一反向偏置操作所需的GS结。我们讨论的是这个点。回想一下，电流是从地面流向排水管的。在这个过程中，电流将通过RS和RD下降。这将导致这里的电压下降。我们就假设这是正的10伏。这里的电压是正的。栅极没有直流偏置，所以电压为零。从栅极到源极，这个正电压将作为栅极-源结所需的负偏置。

由于RG提供了地面，所以闸门没有加载效果。我们已经讨论过了。随着输入的变化，整个RD的输出也会变化。我们有一个变化的输入，我们的输出也会随着漏极的变化而变化，就像我们对共发射极放大器所做的那样。
共通门，你们的课本上没有讲太多。它只是把它显示为一个放大器，和我们看到的一样。在共基放大器中，请记住，我们将基极接地，并将信号注入发射极。这是相同的配置，只是我们向源注入了一个信号。我们是把大门而不是底座接地。

我们要看的最后一个放大器是共漏。注意，为了交流到VDD的目的，它是连接的，这看起来像交流目的的地，这也被称为源跟随器。回想一下，我们在双极中观察了发射极跟随器。信号源进来了。它通向大门。然后它就去了源头。同样，在这个配置中，很像发射极跟随器，这里没有增益。我们从这个电路得到的是，它把输出降低得非常低，这样我们就可以耦合大部分信号。这里有一堆。这提供了良好的耦合，使大部分信号不会在放大器上丢失，而是直接传送到负载。 This type of amp is very popular with high power amplifiers.

JFET特性总结:

源极和漏极端子连接到JFET中沟道材料的两端。回想一下，在大多数jfet中源极和漏极是可以互换的。在JFET中，门源结是反向偏置的。在JFET中增加的反向偏置导致通道电阻增加。反向偏压越大，在JFET通道中的电阻就越大。一个JFET有最大的源漏电流，没有偏置，所以通过JFET的零电压，你有最大的电流。这和你在共射器中看到的正好相反。

JFET可用于数字电路通过使用饱和或截止模式。共源、门和漏极配置可与双极放大器配置相比较。共源安培有180度相位反转。共源放大器有很高的输入阻抗。正常运行时，电流从源流向漏。第10-2节到此结束。

由蒂姆Fiegenbaum在北西雅图社区学院