在任何导电物质中，是什么航空公司收取？识别金属物质、半导体物质和导电液体中的载流子。
“电荷载体”是具有电荷的任何颗粒，其通过物质的协调运动构成电流。不同类型的物质具有不同的电荷载体：
就电导而言，金属是最容易理解的材料。向你的学生指出，正是这种简单性使得金属导电的数学模型如此容易(欧姆定律，E = ir）。
原子内的电子的常见概念模型是“行星”模型，电子描绘为绕核的“行星”旋转的轨道卫星。物理学家Ernest Rutherford被称为该原子模型的发明者。
对这个原子概念模型的一个重大改进来自尼尔斯·玻尔，他引入了电子在原子核周围处于“静止状态”的观点，并且只能通过一种方式假定一个新的状态量子飞跃:从一个能级突然“跳跃”到另一个能级。
博恩对他的激进建议“量子跳跃”作为卢瑟福的典范的替代品？什么实验证据领导科学家放弃了原子的旧行星模型，以及这一证据如何与现代电子有关？雷竞技最新app
原子电子栖息地“量化”能量状态的事实是通过外部能源“激发激发”时，通过某些原子发出的光的特征波长来证明。Rutherford的行星模型无法解释这种行为，因此是原子新模型的必要性。
物理学中的“量子革命”是可能雷竞技最新app的半导体电子器件。通过半导体的电流行进是不可能充分解释量子理论。
挑战性问题:想象一个可以在教室里进行的实验，演示“被激发”的原子发射的特征波长。
在孤原子中，电子只能自由地处于某些离散的能态。然而，在许多原子相互靠近的固体材料中，乐队能态的形式。解释固体物质中存在能量“带”意味着什么，以及为什么会形成这些“带”。
泡利的不相容原理指出:“两个电子在非常接近的情况下，不可能处于完全相同的量子态。”因此，当许多原子紧密地聚集在一起时，它们的单个电子态会轻微地改变能级，使之成为连续的乐队能量水平。
让你的学生想到类比来说明这一原则。我们在哪里看到多个，个人实体加入在一起形成更大的（连续）整体？
工程师和科学家经常使用能带图以图解的方式说明不同物质中电子的能级。电子以实心点表示:
|
|
基于这些图表，回答以下问题：
我为这个问题提供了更多信息，而不是对我来说，因为这个主题相当复杂。我试图在这个问题中沟通的主题之一是半导体不仅仅是具有异常高耐受量的导体。纯半导体中的传导机理与金属的导通机理不同。
虽然这可能变得混乱，但金属物质中的导电实际上具有两种不同的形式：其中两个电子带重叠的一个（允许电子进入上部带和原子之间移动），并且仅为最高“未经发出的”电子带。部分地填充（允许电子漂移到相同带的上部区域并在原子之间移动）。无论是什么区别都值得详细讨论是您决定的问题。
可悲的是，许多介绍性教科书超薄了删除了一个半导体通过将它们宣布为原子包含四个价壳（外层）电子的物质。传统上硅和锗作为所使用的两个主要半导体材料。
然而，“半导体”远不止这个简单的定义。以碳元素为例，它也有四个价电子，就像硅原子和锗原子一样。但并不是所有形式的碳都具有半导体功能:金刚石(在高温下)具有半导体功能，但石墨没有;被称为“碳纳米管”的微型管可以通过改变其直径和“扭曲率”来实现导电或半导体功能。
提供基于电子带的“半导体”的更准确的定义。另外，为其他一些半导体物质命名。
半导体物质由价和传导带之间的间隙的尺寸限定。在元素物质中，通常在具有四种价电子的晶体材料中满足该定义。然而，其他材料也符合带隙标准，因此也是半导体。这里列出了一些：
在撰写本文(2004)时，砷化镓已被广泛使用，而其他的砷化镓大多还处于发展阶段。但其中一些材料在大功率、高温、高频等领域的应用前景十分广阔，尤其是氮化镓和碳化硅。
我发现它令人沮丧的是，有多少介绍性电子产品文本屠宰半导体物理的主题，以便在技师消费中“愚雷竞技最新app蠢”，因为实际上这些不准确性真的混淆了这个主题。此外，我还没有阅读（2004年10月）介绍文本，即使在半导体材料领域发生了大量的研发，甚至均涉及硅和锗作为半导体之外的物质
值得庆幸的是，互联网提供了有关该主题的大量最新信息，这对于开始学生了解这么简单。这个问题旨在让学生研究他们（写成不好的）教科书以外的来源。
如果加热纯（“内在”）半导体材料，则热能将一些价带电子释放到导通带中。叫做价乐队中留下的空缺孔：
|
|
如果电压施加电压，在左侧和右侧阳性，右侧有阳性，这将如何对能量带进行达到，这将如何影响电子和孔？
|
|
洞是掌握某些学生的困难概念。一个类比我发现有助于解释如何如何没有指的是水中的空气气泡。当你在一个清澈的、充满水的管子里观看气泡时，你会发现这些气泡确实是离散粒子，即使我们知道它们实际上是空隙没有水的地方。也没有一个人在分配方向和速度的想法到泡沫，即使它们真的不是什么！
由于电场的存在，能量带倾斜的原则对于学生来说是值得理解的，这是为了掌握PN结的操作。有助于可视化电子和孔运动的类比是将两个带（传导和价）视为可以携带水的两个不同管道。上管道（导通带）大多是空的，只有水滴运行下坡。底管（价频带）大多是水，气泡跑上坡。
我希望在这里传达的一个主要观点是，“空穴流”不仅仅是电子传导的镜像。“空穴流”是一种完全不同的电子运动机制。电子是任何固体材料中唯一真正的载流子，但“空穴”通常被称为“载流子”，因为它们代表了价电子运动的一个易于跟踪的标记。通过将“空穴”视为自身的实体，它更好地区分了电子运动的两种形式(传导带和价带)。
如果他们尚未通过自己的研究发现，你可能想要指出学生的东西，是金属中没有“孔流”这样的东西。在金属中，通过导通带电子发生100％的导通。当存在分离价和导带带隙时，仅发生双模电子流的这种现象。值得注意的是，因为许多文本（即使是一些高级工程教科书！）将“传统流动”电流符号称为“孔流”，即使当电流存在于金属线中。
在完全纯(“内在的”)半导体中，唯一的方式载流子可以存在的价电子“跃进”导带与应用足够的能量，留下一个洞或空缺，在价乐队后面：
|
|
具有足够的热能，这些电子孔对将自发地形成。然而，在室温下，这项活动很小。
我们可以通过向半导体材料添加特定的杂质来大大提高电荷载体形成。具有不同电子配置的原子的能量状态不精确地将具有父半导体晶体的电子带的电子带“混合”，从而使额外的能量水平形成。
有些种类的杂质会造成额外的捐赠者电子对晶体的主导带下方的潜伏。这些类型的杂质被称为五价的，因为它们每个原子有5个价电子，而不是母物质通常拥有的4个价电子:
|
|
其他种类的杂质会产生空电子能级(受体“空穴”)刚好在晶体的主价带上方形成。这些类型的杂质被称为三价，因为它们每个原子有3个价电子而不是4个:
|
|
比较在具有大量“供体”电子的半导体材料中形成自由（导通带）电子的容易性，而不是固有（纯）半导体材料的半导体材料。哪种材料的导电性更强?
同样，比较在具有大量“受体”空穴的半导体材料中形成价带空穴的容易程度，与固有(纯)半导体材料相比。哪种材料的导电性更强?
在环境源热能的影响下，五价“施主”原子对导带中的自由电子有贡献:
|
|
同样地，三价的“受体”原子有助于价带中的空穴:
|
|
在任何一种情况下，向否则纯半导体材料中添加杂质增加了可用电荷载体的数量。
在这里，学生要掌握的最重要的概念是杂质的加入增加了可用的数量航空公司收取在半导体物质中。通过添加杂质，可以使其纯状态下的绝缘体是不同程度的。
描述两者的区别内在和一个外在半导体物质。
“固有”半导体材料绝对纯净。“外在”半导体材料具有掺杂剂以增强电导率。
这里只是一个简单的定义，没有。这在任何介绍性教科书中都很容易引用。
必须将何种类型的物质添加到内在半导体中以产生“供体”电子？完成此操作时，我们如何表示这种类型的“掺杂”半导体物质？
同样，必须将必须添加什么类型的物质以产生“受体”孔？完成后，我们如何表示这种类型的“掺杂”半导体物质？
为了创造供体电子，必须添加具有比基础半导体材料更多的价电子的物质。完成后，它被称为n型半导体。
为了制造受体空穴，你必须加入一种比基本半导体材料的价电子数少的物质。当这完成时，它被称为p型半导体。
随访问题：识别一些常见的“捐赠者”（n型）和“受体”（p型）掺杂剂。
当掺杂硅和锗衬底时，所使用的材料分为两类五价的或者三价物质。问你的学生这些术语中哪个指的是更大的化合价数，哪个指的是更小的化合价数。
掺杂浓度对外部半导体的电导率有何影响？
“掺杂”越集中，材料的导电性就越大。
在这个问题（掺杂，外在）中使用了几个技术术语。一定要问你的学生他们的意思是，如果只是为了审查。此外，请您的学生在充电运营商方面叙述他们的答案。
必须将内在半导体变成什么，以将其变成“n型”半导体？
必须加入五价掺杂剂，才能产生给电子。
没有什么可以在这里发表评论，因为通过对任何介绍教科书的研究，可以很容易地回答这种问题。
必须采用内部半导体，将其变成“p型”半导体？
必须加入三价掺杂剂，才能产生受体空穴。
没有什么可以在这里发表评论，因为通过对任何介绍教科书的研究，可以很容易地回答这种问题。
在外部半导体中，什么是多数载体他们如何与众不同少数民族航空公司？
“多数载流子”是指在材料中有意识地加入掺杂元素而产生的载流子。“少数载流子”是相反类型的电荷载流子，驻留在半导体中只是因为不可能完全消除产生它们的杂质。
我们谈到纯半导体材料，并用掺杂剂的正确数量和类型的“掺杂”件半导体材料，但现实是不可能确保完美的质量控制，因此是不可能的将要任何半导体样品中的其他杂质。
要求你的学生明确识别“P”和“N”型外部半导体的多数和少数载流子。在每种情况下，它们是电子还是空穴?
温度对半导体材料的电导率有什么影响?这与温度对典型金属导电性的影响相比如何?
半导体材料具有负温度的电阻系数（α）值，这意味着它们的抵抗性随温度升高而降低。
这个问题的答案是对可能没有回忆起主题的学生的抵抗（α）的温度系数的简短审查直流电路的研究。然而，一如既往，这个问题最重要的一点是为什么半导体的电导率增加。让你的学生把他们的答案和概念联系起来航空公司收取在半导体物质中。
您可以提及您的学生的一个有趣的琐事是玻璃 - 通常可以通过加热导电性能的电力绝缘体。必须加热玻璃，直到它在真正导电之前是红热，因此证明这不是一种容易现象。我在一本旧书中发现了这个实验的宝石：
物理演示实验，第一版（第四印象），版权所有1938，由Richard Manliffe Sutton，Ph.D.
解释什么费米能级是一种物质。
“费米能级”是物质中电子在绝对零度温度下所能达到的最高能级。
使用类比有时有助于用于说明目的。费米水平的类比是想象一罐沸水，其中水分子代表电子和高度代表能量水平。在环境温度条件下，存在许多水分子（电子）离开液体表面，以及一些返回其的水分子（电子）。然而，冷却沸点以下的罐，并且所有水分子返回到最上层的液体，其中最高水平代表物质中的费米水平。
在这三个能级图中画出费米能级的近似位置:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
注意FERMI水平受到掺杂剂的影响到含纯半导体材料的影响。理解这种效果对于了解PN半导体结来至关重要。
1950年代早期J.R. Hayes和W.Shockley进行的迷人实验涉及具有两个金属点接触的N-掺杂锗的棒，标有两个“发射器”和“收集器”标记为“C，”和“C，”：
|
|
在执行开关时，在示波器显示屏上注意到两个不同的脉冲：
|
|
漂移电压较少（V漂移)，第二个脉冲被观察到进一步延迟和更扩散:
|
|
第一脉冲的瞬时效果（精确定时与开关的闭合）不是该实验的最有趣的面部。相反，第二（延迟）脉冲是。解释导致这第二脉冲的原因，以及为什么它的形状取决于v漂移．
第二脉冲从点从点接触发射器中注入n型锗棒的“云”产生。V.漂移提供了一种电场，使这些孔“漂移”从左右到右侧通过杆，在那里它们最终被收集点接触检测到它们。
这个半导体历史的TIDBIT被发现雷竞技最新app科学家和工程师的电子产品
本尼迪克特(r.r . Ralph Benedict)著，在113和114页。像许多其他50年代和60年代的工程教科书一样，这本出版物是技术信息的宝库和清晰的模型。我只希望今天的技术级教科书能像几十年前的工程级教科书那样清晰明了。你可能已经猜到了，我喜欢逛二手书店，寻找老式的工程课本!
