| 别光坐在那儿!构建的东西! ! |
学习数学分析电路需要大量的学习和实践。通常情况下，学生通过做大量的例题并对照课本或老师提供的答案进行练习。虽然这很好，但还有更好的方法。
你会学到更多建立和分析实际电路让你的测试设备来提供“答案”，而不是书本或其他人。对于成功的电路构建练习，遵循以下步骤:
当学生第一次学习半导体器件时，他们很可能因为电路连接不当而损坏半导体器件，我建议他们使用大的、高瓦数的组件(1N4001整流二极管、to -220或to -3外壳功率晶体管等)，使用干电池电源而不是台式电源。这降低了部件损坏的可能性。
通常，避免非常高和非常低的电阻值，以避免测量误差引起的仪表“负载”(在高端)和避免晶体管烧坏(在低端)。我推荐电阻在1 kΩ和100 kΩ之间。
节省时间和减少出错可能性的一种方法是，从一个非常简单的电路开始，然后在每次分析后逐步添加组件以增加其复杂性，而不是为每个实践问题构建一个全新的电路。另一种节省时间的技术是在各种不同的电路配置中重复使用相同的组件。这样，您就不必重复度量任何组件的值。
让电子本身给你自己的“练习问题”的答案!
我的经验是，学生需要大量的电路分析练习才能熟练。为此，教师通常会给他们的学生提供大量的练习问题，让他们完成，并提供答案，让学生检查他们的作业。虽然这种方法使学生精通电路理论，但它未能充分教育他们。
学生们不仅仅需要数学练习。他们还需要实际的、动手实践构建电路和使用测试设备。因此，我建议学生采取以下替代方法:学生应该构建自己用实际元件“实践问题”，并尝试用数学方法预测各种电压和电流值。这样，数学理论就“活了起来”，学生们就能熟练地运用数学，而不仅仅是解方程。
采用这种方法的另一个原因是为了教学生科学的方法:通过执行真实的实验来检验假设(在本例中是数学预测)的过程。学生也将发展真正的故障排除技能，因为他们偶尔会做出电路构造错误。
在开始之前，花点时间和同学们一起回顾一下构建电路的一些“规则”。用苏格拉底式的方式和你的学生讨论这些问题，而不是简单地告诉他们应该做什么，不应该做什么。我总是对学生们在典型的讲座(讲师独白)形式下理解指令的糟糕程度感到惊讶!
对于那些抱怨让学生构建真实电路而不仅仅是数学分析理论电路的“浪费”时间的老师，我要提醒他们:
学生上这门课的目的是什么?
如果您的学生将使用真实的电路，那么他们应该尽可能地在真实的电路中学习。如果你的目标是培养理论物理学家，那么务必坚持抽象分析!但我们大多数人都计划让我们的学生在现实世界中做一些事情，利用我们给他们的教育。raybet电子竞技竞猜当他们将知识应用于实际问题时，花在构建真实电路上的“浪费”时间将带来巨大的回报。
此外，让学生建立自己的实践问题教他们如何表演主要研究，从而使他们能够自主地继续他们的电气/电子教育。雷竞技最新appraybet电子竞技竞猜
在大多数科学中，建立真实的实验比建立电路要困难和昂贵得多。核物理、生物、地质和化学的教授们会很乐意让他们的学生将高等数学应用到真正的实验中，而不会造成任何安全隐患，而且成本低于教科书。他们不能，但你可以。利用你的科学固有的便利，而且让你的学生在许多真实的电路上练习他们的数学!
一种常见的使耗尽型IGFET偏置的方法被称为零偏置．示例电路如下所示:
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这看起来类似于自给偏压正如JFET放大器电路所见，但它不是。零偏置只适用于IGFET放大器电路。请解释为什么会这样。
a的自然q点耗尽型IGFET在门源电压为0伏时发生。这两者都非常不同双极结(是)或结型场效应(JFET)晶体管。
后续问题:“零”偏置是否也适用于增强模式igfet ?解释为什么或为什么不。
这个问题为学生提供了一个机会来回顾IGFET理论，并区分消耗模式和增强模式类型，这是一个在刚接触这个话题的学生中非常困惑的问题。
一种用于偏置增强模式igfet的方法是drain-feedback偏置。下面是一个例子:
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偏置增强模式igfet的另一种方法是分压器技术，从你对BJT放大器电路的理解中，你应该很熟悉:
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你认为这两种不同偏置电路的性能比较如何?假设他们对相同的q点有偏见，他们的信号放大性能是否有显著差异?为什么或为什么不?
